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K4M563233G-FG750

Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SAMSUNG(三星)
零件包装代码
BGA
包装说明
VFBGA, BGA90,9X15,32
针数
90
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
5.4 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
133 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
1,2,4,8
JESD-30 代码
R-PBGA-B90
长度
13 mm
内存密度
268435456 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度
32
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
90
字数
8388608 words
字数代码
8000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-25 °C
组织
8MX32
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
VFBGA
封装等效代码
BGA90,9X15,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度(摄氏度)
240
电源
3/3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
4096
座面最大高度
1 mm
自我刷新
YES
连续突发长度
1,2,4,8,FP
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.16 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
2.7 V
标称供电电压 (Vsup)
3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子形式
BALL
端子节距
0.8 mm
端子位置
BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间
30
宽度
8 mm
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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