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K6X4008T1F-QF55

Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
Objectid
1122335333
包装说明
TSOP, TSOP32,.46
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
55 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G32
JESD-609代码
e3
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
湿度敏感等级
1
端子数量
32
字数
524288 words
字数代码
512000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
512KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP
封装等效代码
TSOP32,.46
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
225
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
反向引出线
YES
最大待机电流
0.00001 A
最小待机电流
2 V
最大压摆率
0.025 mA
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
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