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K7S3218T4C-FI33T

Standard SRAM, 2MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165

器件类别：存储存储

厂商名称：SAMSUNG(三星)

厂商官网：http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

参数

器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

含铅

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

SAMSUNG(三星)

包装说明

BGA, BGA165,11X15,40

Reach Compliance Code

unknown

最长访问时间

0.45 ns

最大时钟频率 (fCLK)

333 MHz

I/O 类型

SEPARATE

JESD-30 代码

R-PBGA-B165

JESD-609代码

e1

内存密度

37748736 bit

内存集成电路类型

STANDARD SRAM

内存宽度

18

湿度敏感等级

3

端子数量

165

字数

2097152 words

字数代码

2000000

工作模式

SYNCHRONOUS

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-40 °C

组织

2MX18

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

BGA

封装等效代码

BGA165,11X15,40

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

GRID ARRAY

并行/串行

PARALLEL

峰值回流温度（摄氏度）

260

电源

1.5,1.8 V

认证状态

Not Qualified

最大待机电流

0.3 A

最小待机电流

1.7 V

最大压摆率

0.75 mA

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

INDUSTRIAL

端子面层

TIN SILVER COPPER

端子形式

BALL

端子节距

1 mm

端子位置

BOTTOM

处于峰值回流温度下的最长时间

40

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器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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