K8S1115EBC-FE1F0

Flash, 32MX16, 100ns, PBGA64, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.50 MM PITCH, FBGA-64

器件类别：存储存储

厂商名称：SAMSUNG(三星)

厂商官网：http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

含铅

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

SAMSUNG(三星)

零件包装代码

BGA

包装说明

VFBGA, BGA64,10X14,20

针数

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

3A991.B.1.A

最长访问时间

100 ns

其他特性

BOTTOM BOOT BLOCK, SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE

启动块

BOTTOM

命令用户界面

YES

通用闪存接口

YES

数据轮询

YES

JESD-30 代码

R-PBGA-B64

内存密度

536870912 bit

内存集成电路类型

FLASH

内存宽度

湿度敏感等级

功能数量

部门数/规模

4,511

端子数量

字数

33554432 words

字数代码

32000000

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-25 °C

组织

32MX16

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

VFBGA

封装等效代码

BGA64,10X14,20

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH

并行/串行

PARALLEL

峰值回流温度（摄氏度）

225

电源

1.8 V

编程电压

1.8 V

认证状态

Not Qualified

就绪/忙碌

YES

座面最大高度

1 mm

部门规模

16K,64K

最大待机电流

0.00003 A

最大压摆率

0.07 mA

最大供电电压 (Vsup)

1.95 V

最小供电电压 (Vsup)

1.7 V

标称供电电压 (Vsup)

1.8 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

OTHER

端子形式

BALL

端子节距

0.5 mm

端子位置

BOTTOM

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

切换位

YES

类型

NOR TYPE