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KBU12K

Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8.4A, 800V V(RRM), Silicon, 23.50 X 7 MM, 19.30 MM HEIGHT, PLASTIC PACKAGE-4

器件类别：分立半导体    二极管   

厂商名称：SEMIKRON

厂商官网：http://www.semikron.com

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参数 预览 参数对比
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
SEMIKRON
包装说明
R-PSFM-W4
针数
4
Reach Compliance Code
unknown
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码
R-PSFM-W4
最大非重复峰值正向电流
300 A
元件数量
4
相数
1
端子数量
4
最大输出电流
8.4 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
认证状态
Not Qualified
最大重复峰值反向电压
800 V
表面贴装
NO
端子形式
WIRE
端子位置
SINGLE
文档预览
KBU 12A ... KBU 12M
Silicon-Bridge Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Nominal current – Nennstrom
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
Plastic case – Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
12.0 A
35…700 V
23.5 x 7 x 19.3 [mm]
8g
Dimensions / Maße in mm
Standard packaging: bulk
Standard Lieferform: lose im Karton
Maximum ratings
Type
Alternating input volt.
Typ
Eingangswechselspg.
V
VRMS
[V]
KBU 12A
35
KBU 12B
70
KBU 12D
140
KBU 12G
280
KBU 12J
420
KBU 12K
560
KBU 12M
700
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Rep. peak reverse volt.
1
)
Period. Spitzensperrspg.
1
)
V
RRM
[V]
50
100
200
400
600
800
1000
f > 15 Hz
T
A
= 25
/
C
T
A
= 25
/
C
Grenzwerte
Surge peak reverse volt.
1
)
Stoßspitzensperrspanng.
1
)
V
RSM
[V]
80
130
250
450
700
1000
1200
I
FRM
60 A
2
)
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
I
FSM
i
2
t
300 A
375 A
2
s
– 50…+150
/
C
– 50…+150
/
C
9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
T
j
T
S
M4
1
2
) Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig
) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlußdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
01.04.2000
334
KBU 12A ... KBU 12M
Characteristics
Max. fwd. current without cooling fin
Dauergrenzstrom ohne Kühlblech
Max. current with cooling fin 300 cm
2
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm
2
Forward voltage – Durchlaßspannung
Leakage current – Sperrstrom
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
Type
Typ
KBU 12A
KBU 12B
KBU 12D
KBU 12G
KBU 12J
KBU 12K
KBU 12M
Max. admissible load capacitor
Max. zulässiger Ladekondensator
C
L
[
:
F]
20000
10000
5000
2500
1500
1000
800
Kennwerte
T
A
= 50
/
C
T
A
= 50
/
C
T
j
= 25
/
C
T
j
= 25
/
C
R-load
C-load
R-load
C-load
I
F
= 12 A
V
R
= V
RRM
I
FAV
I
FAV
I
FAV
I
FAV
V
F
I
R
R
thC
8.4 A
7.4 A
12.0 A
9.6 A
< 1.0 V
1
)
< 10
:
A
< 3.3 K/W
Min. required protective resistor
Min. erforderl. Schutzwiderstand
R
t
[
S
]
0.2
0.4
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
1
) Valid for one branch – Gültig für einen Brückenzweig
01.04.2000
335
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参数对比
与KBU12K相近的元器件有：KBU12M、KBU12G、KBU12J、KBU12A、KBU12B、KBU12D。描述及对比如下：
型号 KBU12K KBU12M KBU12G KBU12J KBU12A KBU12B KBU12D
描述 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8.4A, 800V V(RRM), Silicon, 23.50 X 7 MM, 19.30 MM HEIGHT, PLASTIC PACKAGE-4 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8.4A, 1000V V(RRM), Silicon, 23.50 X 7 MM, 19.30 MM HEIGHT, PLASTIC PACKAGE-4 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8.4A, 400V V(RRM), Silicon, 23.50 X 7 MM, 19.30 MM HEIGHT, PLASTIC PACKAGE-4 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8.4A, 600V V(RRM), Silicon, 23.50 X 7 MM, 19.30 MM HEIGHT, PLASTIC PACKAGE-4 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8.4A, 50V V(RRM), Silicon, 23.50 X 7 MM, 19.30 MM HEIGHT, PLASTIC PACKAGE-4 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8.4A, 100V V(RRM), Silicon, 23.50 X 7 MM, 19.30 MM HEIGHT, PLASTIC PACKAGE-4 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8.4A, 200V V(RRM), Silicon, 23.50 X 7 MM, 19.30 MM HEIGHT, PLASTIC PACKAGE-4
包装说明 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4
针数 4 4 4 4 4 4 4
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown unknown unknown
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4 R-PSFM-W4
最大非重复峰值正向电流 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A 300 A
元件数量 4 4 4 4 4 4 4
相数 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 4 4 4 4 4 4 4
最大输出电流 8.4 A 8.4 A 8.4 A 8.4 A 8.4 A 8.4 A 8.4 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT FLANGE MOUNT
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 800 V 1000 V 400 V 600 V 50 V 100 V 200 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO
端子形式 WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
厂商名称 SEMIKRON SEMIKRON SEMIKRON - SEMIKRON SEMIKRON SEMIKRON
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