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MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32
厂商名称：SAMSUNG(三星)
厂商官网：http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/
下载文档| 型号 | KM23V8000D | KM23V8000DG |
|---|---|---|
| 描述 | MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32 | MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 零件包装代码 | DIP | SOIC |
| 包装说明 | DIP, DIP32,.6 | SOP, SOP32,.56 |
| 针数 | 32 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 120 ns | 120 ns |
| 其他特性 | CAN ALSO OPERATE AT 3V TO 3.6V SUPPLY | CAN ALSO OPERATE AT 3V TO 3.6V SUPPLY |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T32 | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 41.91 mm | 20.47 mm |
| 内存密度 | 8388608 bit | 8388608 bit |
| 内存集成电路类型 | MASK ROM | MASK ROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 32 | 32 |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 1MX8 | 1MX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | SOP |
| 封装等效代码 | DIP32,.6 | SOP32,.56 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3/3.3 V | 3/3.3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 3 mm |
| 最大待机电流 | 0.00003 A | 0.00003 A |
| 最大压摆率 | 0.03 mA | 0.03 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 宽度 | 15.24 mm | 11.43 mm |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
