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KM28C256A-12

EEPROM, 32KX8, 120ns, Parallel, CMOS, PDIP28, PLASTIC, DIP-28

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SAMSUNG(三星)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP28,.6
针数
28
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
120 ns
命令用户界面
NO
数据轮询
YES
耐久性
100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码
R-PDIP-T28
JESD-609代码
e0
内存密度
262144 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
28
字数
32768 words
字数代码
32000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
32KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP28,.6
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
页面大小
64 words
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
编程电压
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.59 mm
最大待机电流
0.0001 A
最大压摆率
0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
切换位
YES
宽度
15.24 mm
最长写入周期时间 (tWC)
5 ms
文档预览
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器件捷径:
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