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KM41C1001CTR-6

Nibble Mode DRAM, 1MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, REVERSE, TSOP2-26/20

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
SAMSUNG(三星)
零件包装代码
TSOP
包装说明
TSOP2-R,
针数
20
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
NIBBLE
最长访问时间
60 ns
JESD-30 代码
R-PDSO-G20
长度
17.14 mm
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
NIBBLE MODE DRAM
内存宽度
1
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
20
字数
1048576 words
字数代码
1000000
组织
1MX1
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2-R
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.2 mm
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
宽度
7.62 mm
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