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KM41C4000CTR-6

Fast Page DRAM, 4MX1, 60ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-20

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SAMSUNG(三星)
零件包装代码
TSOP
包装说明
TSOP2-R, TSSOP20/26,.36
针数
20
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FAST PAGE
最长访问时间
60 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PDSO-G20
JESD-609代码
e0
长度
17.14 mm
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
FAST PAGE DRAM
内存宽度
1
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
20
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2-R
封装等效代码
TSSOP20/26,.36
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
反向引出线
YES
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
NO
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.075 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
宽度
7.62 mm
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