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KM44V4004ALLJ-7

EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-24

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SAMSUNG(三星)
零件包装代码
SOJ
包装说明
SOJ, SOJ24/28,.44
针数
24
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间
70 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-J24
JESD-609代码
e0
长度
18.42 mm
内存密度
16777216 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
24
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ24/28,.44
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
4096
座面最大高度
3.66 mm
自我刷新
YES
最大待机电流
0.0002 A
最大压摆率
0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
宽度
10.16 mm
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