首页 > 器件类别 > 存储 > 存储

KM44V4104ALLJ-7

EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-24

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SAMSUNG(三星)
零件包装代码
SOJ
包装说明
SOJ, SOJ24/28,.44
针数
24
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间
70 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-J24
JESD-609代码
e0
长度
18.42 mm
内存密度
16777216 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
24
字数
4194304 words
字数代码
4000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
4MX4
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOJ
封装等效代码
SOJ24/28,.44
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
2048
座面最大高度
3.66 mm
自我刷新
YES
最大待机电流
0.0002 A
最大压摆率
0.09 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
J BEND
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
宽度
10.16 mm
文档预览
查看更多>
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
需要登录后才可以下载。
登录取消