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KM48S8030BT-F10K

Synchronous DRAM, 8MX8, 7ns, CMOS, PDSO54

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SAMSUNG(三星)
包装说明
TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
7 ns
最大时钟频率 (fCLK)
100 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
1,2,4,8
JESD-30 代码
R-PDSO-G54
JESD-609代码
e0
内存密度
67108864 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度
8
湿度敏感等级
3
端子数量
54
字数
8388608 words
字数代码
8000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
8MX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP
封装等效代码
TSOP54,.46,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
4096
连续突发长度
1,2,4,8,FP
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.135 mA
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.8 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
Base Number Matches
1
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