首页 > 器件类别 > 存储 > 存储

KM48S8030BT-GHTD

Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SAMSUNG(三星)
包装说明
TSOP, TSOP54,.46,32
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
6 ns
最大时钟频率 (fCLK)
100 MHz
I/O 类型
COMMON
交错的突发长度
1,2,4,8
JESD-30 代码
R-PDSO-G54
JESD-609代码
e0
内存密度
67108864 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度
8
湿度敏感等级
3
端子数量
54
字数
8388608 words
字数代码
8000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
8MX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP
封装等效代码
TSOP54,.46,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
4096
连续突发长度
1,2,4,8,FP
最大待机电流
0.001 A
最大压摆率
0.15 mA
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.8 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
文档预览
查看更多>
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
需要登录后才可以下载。
登录取消