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KM48V514DT-6

EDO DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, TSOP2-28

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
零件包装代码
TSOP
包装说明
TSOP2, TSOP28,.46
针数
28
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间
60 ns
其他特性
RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G28
JESD-609代码
e0
长度
18.41 mm
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
EDO DRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
2
端子数量
28
字数
524288 words
字数代码
512000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
512KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2
封装等效代码
TSOP28,.46
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
1024
座面最大高度
1.2 mm
自我刷新
NO
最大待机电流
0.0005 A
最大压摆率
0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
10.16 mm
Base Number Matches
1
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