KM49C512TR-7

Fast Page DRAM, 512KX9, 70ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28

器件类别：存储存储

厂商名称：SAMSUNG(三星)

厂商官网：http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数

参数名称

属性值

是否无铅

含铅

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

SAMSUNG(三星)

零件包装代码

TSOP

包装说明

TSOP2-R, TSOP28,.46

针数

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

访问模式

FAST PAGE

最长访问时间

70 ns

其他特性

RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH

I/O 类型

COMMON

JESD-30 代码

R-PDSO-G28

JESD-609代码

长度

18.41 mm

内存密度

4718592 bit

内存集成电路类型

FAST PAGE DRAM

内存宽度

功能数量

端口数量

端子数量

字数

524288 words

字数代码

512000

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

组织

512KX9

输出特性

3-STATE

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

TSOP2-R

封装等效代码

TSOP28,.46

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

电源

5 V

认证状态

Not Qualified

刷新周期

1024

反向引出线

YES

座面最大高度

1.2 mm

自我刷新

最大待机电流

0.001 A

最大压摆率

0.11 mA

最大供电电压 (Vsup)

5.5 V

最小供电电压 (Vsup)

4.5 V

标称供电电压 (Vsup)

5 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

GULL WING

端子节距

1.27 mm

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

宽度

10.16 mm