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KM616V1002BTI-80

Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

器件类别：存储存储

厂商名称：SAMSUNG(三星)

厂商官网：http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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参数

器件参数

参数名称

属性值

厂商名称

SAMSUNG(三星)

零件包装代码

TSOP2

包装说明

TSOP2,

针数

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

3A991.B.2.B

最长访问时间

8 ns

JESD-30 代码

R-PDSO-G44

长度

18.41 mm

内存密度

1048576 bit

内存集成电路类型

STANDARD SRAM

内存宽度

功能数量

端子数量

字数

65536 words

字数代码

64000

工作模式

ASYNCHRONOUS

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-40 °C

组织

64KX16

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

TSOP2

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

并行/串行

PARALLEL

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

1.2 mm

最大供电电压 (Vsup)

3.6 V

最小供电电压 (Vsup)

3 V

标称供电电压 (Vsup)

3.3 V

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

INDUSTRIAL

端子形式

GULL WING

端子节距

0.8 mm

端子位置

DUAL

宽度

10.16 mm

Base Number Matches

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