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KM616V4000CLRI-8L

Standard SRAM, 256KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SAMSUNG(三星)
零件包装代码
TSOP2
包装说明
TSOP2-R, TSOP44,.46,32
针数
44
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
3A991.B.2.A
最长访问时间
85 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G44
JESD-609代码
e0
长度
18.41 mm
内存密度
4194304 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
16
功能数量
1
端子数量
44
字数
262144 words
字数代码
256000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
256KX16
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSOP2-R
封装等效代码
TSOP44,.46,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
3.3 V
认证状态
Not Qualified
反向引出线
YES
座面最大高度
1.2 mm
最大待机电流
0.00002 A
最小待机电流
2 V
最大压摆率
0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.8 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
10.16 mm
Base Number Matches
1
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器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
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