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KM64258CP-12

Standard SRAM, 64KX4, 12ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
SAMSUNG(三星)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP28,.3
针数
28
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
12 ns
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDIP-T28
JESD-609代码
e0
长度
34.29 mm
内存密度
262144 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
4
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
28
字数
65536 words
字数代码
64000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
64KX4
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP28,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.08 mm
最大待机电流
0.002 A
最小待机电流
4.5 V
最大压摆率
0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
7.62 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与KM64258CP-12相近的元器件有:KM64258CP-20、KM64258CP-15。描述及对比如下:
型号 KM64258CP-12 KM64258CP-20 KM64258CP-15
描述 Standard SRAM, 64KX4, 12ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 Standard SRAM, 64KX4, 20ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28 Standard SRAM, 64KX4, 15ns, CMOS, PDIP28, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-28
是否无铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
零件包装代码 DIP DIP DIP
包装说明 DIP, DIP28,.3 DIP, DIP28,.3 DIP, DIP28,.3
针数 28 28 28
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 12 ns 20 ns 15 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28 R-PDIP-T28
JESD-609代码 e0 e0 e0
长度 34.29 mm 34.29 mm 34.29 mm
内存密度 262144 bit 262144 bit 262144 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4 4
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 28 28 28
字数 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 64KX4 64KX4 64KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP28,.3 DIP28,.3 DIP28,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大待机电流 0.002 A 0.002 A 0.002 A
最小待机电流 4.5 V 4.5 V 4.5 V
最大压摆率 0.15 mA 0.13 mA 0.14 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
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器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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