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KMM374S823BTL-GL

Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

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器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
SAMSUNG(三星)
包装说明
,
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
6 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码
R-XDMA-N168
内存密度
603979776 bit
内存集成电路类型
SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度
72
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
168
字数
8388608 words
字数代码
8000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
8MX72
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态
Not Qualified
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子位置
DUAL
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参数对比
与KMM374S823BTL-GL相近的元器件有:KMM374S823BTL-GH、KMM374S823BTL-G8。描述及对比如下:
型号 KMM374S823BTL-GL KMM374S823BTL-GH KMM374S823BTL-G8
描述 Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS
厂商名称 SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星) SAMSUNG(三星)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间 6 ns 6 ns 6 ns
其他特性 AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 603979776 bit 603979776 bit 603979776 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度 72 72 72
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 168 168 168
字数 8388608 words 8388608 words 8388608 words
字数代码 8000000 8000000 8000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 8MX72 8MX72 8MX72
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
自我刷新 YES YES YES
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL
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