Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused
Hyper-Bright LED
LS 3336, LA 3336, LO 3336
LY 3336
Besondere Merkmale
q
q
q
q
q
q
nicht eingefärbtes, klares Gehäuse
zur Einkopplung in Lichtleiter
als optischer Indikator einsetzbar
Lötspieße mit Aufsetzebene
gegurtet lieferbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
VEX06710
Features
q
q
q
q
q
q
colorless, clear package
optical coupling into light pipes
for use as optical indicator
solder leads with stand-off
available taped on reel
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
1998-09-18
LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
F
= 20 mA
I
V
(mcd)
63
100
160
250
100
100
160
250
400
160
100
160
250
400
160
100
160
250
400
160
...
...
...
...
...
500
200
320
500
800
Bestellnummer
Ordering Code
LS 3336-QT
LS 3336-R
LS 3336-S
LS 3336-T
LS 3336-RU
LA 3336-RU
LA 3336-S
LA 3336-T
LA 3336-U
LA 3336-SV
LO 3336-RU
LO 3336-S
LO 3336-T
LO 3336-U
LO 3336-SV
LY 3336-RU
LY 3336-S
LY 3336-T
LY 3336-U
LY 3336-SV
super-red
colorless clear
Q62703-Q3482
Q62703-Q3484
Q62703-Q3485
Q62703-Q3813
Q62703-Q3486
Q62703-Q3554
Q62703-Q3551
Q62703-Q3552
Q62703-Q3553
Q62703-Q3555
Q62703-Q3144
Q62703-Q3176
Q62703-Q3170
Q62703-Q3307
Q62703-Q3177
Q62703-Q3487
Q62703-Q3489
Q62703-Q3490
Q62703-Q3814
Q62703-Q3491
amber
colorless clear
... 800
... 320
... 500
... 800
... 1250
... 800
... 320
... 500
... 800
... 1250
... 800
... 320
... 500
... 800
... 1250
orange
colorless clear
yellow
colorless clear
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
Semiconductor Group
2
1998-09-18
LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t
≤
10
µs,
D
= 0.005
Sperrspanung
1)
Reverse voltage
1)
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
≤
25 ˚C
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
1)
1)
Symbol
Symbol
Werte
Values
LS, LO, LA LY
– 55 ... + 100
– 55 ... + 100
+ 100
30
1
20
0.2
Einheit
Unit
˚C
˚C
˚C
mA
A
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
80
3
55
V
mW
R
th JA
500
K/W
Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden.
Reverse biasing should be avoided.
Semiconductor Group
3
1998-09-18
LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Kennwerte
(
T
A
= 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Spektrale Bandbreite bei 50%
I
rel max
Spectral bandwidth at 50%
I
rel max
I
F
= 20 mA
Abstrahlwinkel bei 50%
I
v
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50%
I
v
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 20 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 3 V
Symbol
Symbol
LS
(typ.)
λ
peak
(typ.)
(typ.)
λ
dom
(typ.)
(typ.)
∆
λ
(typ.)
2ϕ
(typ.)
V
F
(max.)
V
F
(typ.)
I
R
(max.)
I
R
TC
λ
TC
λ
(typ.)
(typ.)
– 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K
645
LA
622
Werte
Values
LO
610
LY
591
nm
Einheit
Unit
632
615
605
587
nm
16
16
16
15
nm
50
2.0
2.6
0.01
10
50
2.0
2.6
0.01
10
50
2.0
2.6
0.01
10
50
2.0
2.6
0.01
10
Grad
deg.
V
V
µA
µA
Temperaturkoeffizient von
λ
dom
(
I
F
= 20 mA)
Temperature coefficient of
λ
dom
(
I
F
= 20 mA)
Temperaturkoeffizient von
λ
peak
,
I
F
= 20 mA
Temperature coefficient of
λ
peak
,
I
F
= 20 mA
0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K
0.14
0.13
0.13
0.13
nm/K
Temperaturkoeffizient von
V
F
, I
F
= 20 mA (typ.)
TC
V
Temperature coefficient of
V
F
, I
F
= 20 mA (typ.)
Semiconductor Group
4
1998-09-18
LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
λ
),
T
A
= 25 ˚C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
λ
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
100
Ι
rel
%
80
OHL00235
V
λ
60
yellow
orange
amber
super-red
40
20
0
400
450
500
550
600
650
nm
λ
700
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
40
30
20
10
φ
0
1.0
OHL01646
50
0.8
0.6
60
0.4
70
0.2
80
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
0
Semiconductor Group
5
1998-09-18
