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LBAV70LT1G

Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 70V V(RRM), Silicon,

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:LRC

厂商官网:http://www.lrc.cn

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
LRC
包装说明
R-PDSO-G3
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
配置
COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
0.715 V
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
最大非重复峰值正向电流
0.5 A
元件数量
2
端子数量
3
最高工作温度
150 °C
最低工作温度
-55 °C
最大输出电流
0.1 A
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
最大功率耗散
0.225 W
最大重复峰值反向电压
70 V
最大反向恢复时间
0.006 µs
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
文档预览
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Monolithic Dual Switching Diode
Common Cathode
LBAV70LT1
Pb−Free Package is Available.
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C)
Rating
Reverse Voltage
Forward Current
Peak Forward Surge Current
Symbol
V
R
I
F
I
FM(surge)
Max
70
200
500
Max
225
1.8
556
300
2.4
R
θJA
T
J
, T
stg
417
–55 to +150
Unit
Vdc
mAdc
mAdc
Unit
mW
mW/°C
°C/W
mW
mW/°C
°C/W
°C
1
2
3
SOT–23
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
(1)
Total Device Dissipation FR–5 Board
P
D
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient R
θJA
Total Device Dissipation
Alumina Substrate
(2)
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
P
D
1
3
CATHODE
ANODE
2
ANODE
ORDERING INFORMATION
Device
Marking
Shipping
LBAV70LT1
LBAV70LT1G
A4
A4(Pb-Free)
3000 Tape & Reel
3000 Tape & Reel
DEVICEMARKING
LBAV70LT1 = A4
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
V
(BR)
I
R
C
D
V
F
R
L
=100Ω
t
rr
715
855
1000
1250
6.0
ns
60
2.5
100
1.5
pF
mVdc
Min
70
Max
Unit
Vdc
µAdc
OFFCHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage
(I
(BR)
= 100
µAdc)
Reverse Voltage Leakage Current
(V
R
= 25 Vdc,T
J
=150°C)
(V
R
= 70 Vdc)
(V
R
= 70 Vdc,T
J
=150°C)
Diode Capacitance
(V
R
= 0, f = 1.0 MHz)
Forward Voltage
(I
F
= 1.0 mAdc)
(I
F
= 10 mAdc)
(I
F
= 50 mAdc)
(I
F
= 150 mAdc)
Reverse Recovery Time
(I
F
= I
R
=10 mAdc, VR=5.0Vdc, I
R(REC)
= 1.0 mAdc) (Figure 1)
1. FR–5 = 1.0
×
0.75
×
0.062 in.
2. Alumina = 0.4
×
0.3
×
0.024 in. 99.5% alumina.
LBAV70LT1–1/3
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LBAV70LT1
820
+10 V
2.0 k
100
µH
0.1
µF
D.U.T.
50
OUTPUT
PULSE
GENERATOR
50
INPUT
SAMPLING
OSCILLOSCOPE
V
R
90%
I
R
INPUT SIGNAL
i
R(REC)
= 1.0 mA
OUTPUT PULSE
(I
F
= I
R
= 10 mA; MEASURED
at i
R(REC)
= 1.0 mA)
I
F
0.1
µF
t
r
10%
t
p
t
I
F
t
rr
t
Notes: 1. A 2.0 kΩ variable resistor adjusted for a Forward Current (I
F
) of 10 mA.
Notes:
2. Input pulse is adjusted so I
R(peak)
is equal to 10 mA.
Notes:
3. t
p
» t
rr
Figure 1. Recovery Time Equivalent Test Circuit
Curves Applicable to Each Anode
100
IF, FORWARD CURRENT (mA)
T
A
= 85°C
10
T
A
= -40°C
IR , REVERSE CURRENT (µA)
10
T
A
= 150°C
T
A
= 125°C
1.0
0.1
T
A
= 85°C
T
A
= 55°C
1.0
T
A
= 25°C
0.01
T
A
= 25°C
0
10
20
30
40
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
50
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
, FORWARD VOLTAGE (VOLTS)
1.2
0.001
Figure 2. Forward Voltage
1.0
CD, DIODE CAPACITANCE (pF)
Figure 3. Leakage Current
0.9
0.8
0.7
0.6
0
2
4
6
8
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 4. Capacitance
LBAV70LT1-2/3
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
LBAV70LT1
SOT-23
NOTES:
A
L
3
1
2
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
B S
DIM
A
B
C
D
G
H
J
K
L
S
V
V
G
C
D
H
K
J
INCHES
MIN
MAX
0.1102
0.1197
0.0472
0.0551
0.0350
0.0440
0.0150
0.0200
0.0701
0.0807
0.0005
0.0040
0.0034
0.0070
0.0140
0.0285
0.0350
0.0401
0.0830
0.1039
0.0177
0.0236
MILLIMETERS
MIN
MAX
2.80
3.04
1.20
1.40
0.89
1.11
0.37
0.50
1.78
2.04
0.013
0.100
0.085
0.177
0.35
0.69
0.89
1.02
2.10
2.64
0.45
0.60
PIN 1. ANODE
2. ANODE
3.CATHODE
0.037
0.95
0.037
0.95
0.079
2.0
0.035
0.9
0.031
0.8
inches
mm
LBAV70LT1-3/3
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