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LE47F512-200

Flash, 64KX8, 200ns, CQCC32

器件类别:存储    存储   

厂商名称:LSC/CSI

厂商官网:https://lsicsi.com

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
LSC/CSI
包装说明
QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
200 ns
其他特性
100 ERASE/PROGRAM CYCLES; DATA RETENTION > 10 YEARS
命令用户界面
NO
数据轮询
NO
数据保留时间-最小值
10
JESD-30 代码
R-CQCC-N32
JESD-609代码
e0
内存密度
524288 bi
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
32
字数
65536 words
字数代码
64000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
64KX8
输出特性
3-STATE
封装主体材料
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码
QCCN
封装等效代码
LCC32,.45X.55
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
CHIP CARRIER
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
编程电压
12 V
认证状态
Not Qualified
最大待机电流
0.0004 A
最大压摆率
0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
NO LEAD
端子节距
1.27 mm
端子位置
QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
切换位
NO
类型
NOR TYPE
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参数对比
与LE47F512-200相近的元器件有:LM47F512-250/B、LE47F512-250、LM47F512-300/B、LE47F512-300。描述及对比如下:
型号 LE47F512-200 LM47F512-250/B LE47F512-250 LM47F512-300/B LE47F512-300
描述 Flash, 64KX8, 200ns, CQCC32 Flash, 64KX8, 250ns, CQCC32 Flash, 64KX8, 250ns, CQCC32 Flash, 64KX8, 300ns, CQCC32 Flash, 64KX8, 300ns, CQCC32
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 LSC/CSI LSC/CSI LSC/CSI LSC/CSI LSC/CSI
包装说明 QCCN, LCC32,.45X.55 QCCN, LCC32,.45X.55 QCCN, LCC32,.45X.55 QCCN, LCC32,.45X.55 QCCN, LCC32,.45X.55
Reach Compliance Code unknow unknown unknown unknown unknow
ECCN代码 EAR99 3A001.A.2.C EAR99 3A001.A.2.C EAR99
最长访问时间 200 ns 250 ns 250 ns 300 ns 300 ns
其他特性 100 ERASE/PROGRAM CYCLES; DATA RETENTION > 10 YEARS 100 ERASE/PROGRAM CYCLES; DATA RETENTION > 10 YEARS 100 ERASE/PROGRAM CYCLES; DATA RETENTION > 10 YEARS 100 ERASE/PROGRAM CYCLES; DATA RETENTION > 10 YEARS 100 ERASE/PROGRAM CYCLES; DATA RETENTION > 10 YEARS
命令用户界面 NO NO NO NO NO
数据轮询 NO NO NO NO NO
数据保留时间-最小值 10 10 10 10 10
JESD-30 代码 R-CQCC-N32 R-CQCC-N32 R-CQCC-N32 R-CQCC-N32 R-CQCC-N32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 524288 bi 524288 bit 524288 bit 524288 bit 524288 bi
内存集成电路类型 FLASH FLASH FLASH FLASH FLASH
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32
字数 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000 64000 64000 64000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 125 °C 85 °C 125 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -55 °C -40 °C -55 °C -40 °C
组织 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8 64KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码 QCCN QCCN QCCN QCCN QCCN
封装等效代码 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55 LCC32,.45X.55
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER CHIP CARRIER
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
编程电压 12 V 12 V 12 V 12 V 12 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大待机电流 0.0004 A 0.0004 A 0.0004 A 0.0004 A 0.0004 A
最大压摆率 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA 0.04 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL MILITARY INDUSTRIAL MILITARY INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子节距 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 QUAD QUAD QUAD QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
切换位 NO NO NO NO NO
类型 NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE NOR TYPE
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