LF412CN/NOPB

Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70

器件类别：模拟混合信号IC 放大器电路

厂商名称：Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网：http://www.ti.com.cn/

器件标准： Rohs认证

敬请期待

器件参数

参数名称

属性值

Brand Name

Texas Instruments

是否无铅

不含铅

是否Rohs认证

符合

厂商名称

Texas Instruments(德州仪器)

零件包装代码

DIP

包装说明

DIP, DIP8,.3

针数

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

Factory Lead Time

8 weeks

Samacsys Description

Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier

放大器类型

OPERATIONAL AMPLIFIER

架构

VOLTAGE-FEEDBACK

最大平均偏置电流 (IIB)

0.0002 µA

25C 时的最大偏置电流 (IIB)

0.0002 µA

最小共模抑制比

70 dB

标称共模抑制比

100 dB

频率补偿

YES

最大输入失调电流 (IIO)

0.0001 µA

最大输入失调电压

3000 µV

JESD-30 代码

R-PDIP-T8

JESD-609代码

长度

9.81 mm

低-偏置

YES

低-失调

微功率

湿度敏感等级

负供电电压上限

-18 V

标称负供电电压 (Vsup)

-15 V

功能数量

端子数量

最高工作温度

70 °C

最低工作温度

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

DIP

封装等效代码

DIP8,.3

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

IN-LINE

包装方法

TUBE

峰值回流温度（摄氏度）

NOT APPLICABLE

功率

电源

+-15 V

可编程功率

认证状态

Not Qualified

筛选级别

MIL-STD-883

座面最大高度

5.08 mm

最小摆率

8 V/us

标称压摆率

15 V/us

最大压摆率

3.25 mA

供电电压上限

18 V

标称供电电压 (Vsup)

15 V

表面贴装

技术

BIPOLAR

温度等级

COMMERCIAL

端子面层

Matte Tin (Sn)

端子形式

THROUGH-HOLE

端子节距

2.54 mm

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

标称均一增益带宽

4000 kHz

最小电压增益

15000

宽带

宽度

6.35 mm

参数对比

与LF412CN/NOPB相近的元器件有：LF412MH-NOPB、LF412CN-NOPB、LF412ACN-NOPB、LF412ACN/NOPB、LF412-N。描述及对比如下：

型号	LF412CN/NOPB	LF412MH-NOPB	LF412CN-NOPB	LF412ACN-NOPB	LF412ACN/NOPB	LF412-N
描述	Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70	Operational Amplifiers - Op Amps Lo Offset-Drift Dual JFET Input Op Amp	Operational Amplifiers - Op Amps LOW OFFSET,LOW DRIFT DUAL JFET INP OP AMP	Operational Amplifiers - Op Amps LOW OFFSET,LOW DRIFT DUAL JFET INP OP AMP	Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70	LF412-N Low Offset, Low Drift Dual JFET Input Operational Amplifier