3 mm (T1) LED, Non Diffused
Super-Bright, Hyper-Red GaAIAs-LED
LH 3344
Besondere Merkmale
q
q
q
q
q
q
eingefärbtes, klares Gehäuse
Doppel-Heterostruktur in GaAlAs Technologie
besonders hohe Lichtstärke
Lötspieße mit Aufsetzebene
gegurtet lieferbar
Störimpulsfest nach DIN 40839
VEX06711
Features
q
q
q
q
q
q
colored, clear package
double heterojunction in GaAIAs technology
especially high luminous intensity
solder leads with stand-off
available taped on reel
load dump resistant acc. to DIN 40839
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
I
F
= 10 mA
I
V
(mcd)
63
100
160
250
100
… 500
… 200
… 320
… 500
… 800
Bestellnummer
Ordering Code
LH 3344-QT
LH 3344-R
LH 3344-S
LH 3344-T
LH 3344-RU
hyper-red
red clear
Q62703-Q2231
Q62703-Q3198
Q62703-Q3199
Q62703-Q3817
Q62703-Q3200
Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit
I
V max
/
I
V min
≤
2.0.
Seniconductor Group
1
11.96
LH 3344
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t
≤
10
µs,
D = 0.005
Sperrspannung
Reverse voltage
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
≤
25 ˚C
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Symbol
Symbol
Werte
Values
– 55 … + 100
– 55 … + 100
+ 100
40
0.5
Einheit
Unit
˚C
˚C
˚C
mA
A
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
tot
3
120
V
mW
R
th JA
400
K/W
Semiconductor Group
2
LH 3344
Kennwerte
(
T
A
= 25 ˚C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Spektrale Bandbreite bei 50 %
I
rel max
Spectral bandwidth at 50 %
I
rel max
I
F
= 20 mA
Abstrahlwinkel bei 50 %
I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 %
I
V
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Sperrstrom
Reverse current
V
R
= 3 V
Kapazität
Capacitance
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
I
V
from 90 % to 10 %
I
F
= 100 mA,
t
P
= 10
µs,
R
L
= 50
Symbol
Symbol
(typ.)
λ
peak
(typ.)
(typ.)
λ
dom
(typ.)
(typ.)
∆λ
(typ.)
2ϕ
(typ.)
V
F
(max.)
V
F
(typ.)
I
R
(max.)
I
R
(typ.)
C
0
Werte
Values
660
Einheit
Unit
nm
645
nm
22
nm
25
1.75
2.6
0.01
10
25
Grad
deg.
V
V
µA
µA
pF
(typ.)
t
r
(typ.)
t
f
140
110
ns
ns
Semiconductor Group
3
LH 3344
Relative spektrale Emission
I
rel
=
f
(
λ
),
T
A
= 25 ˚C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (
λ
) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
I
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
4
LH 3344
Durchlaßstrom
I
F
=
f
(
V
F
)
Forward current
T
A
= 25 ˚C
Relative Lichtstärke
I
V
/
I
V(10 mA)
=
f
(
I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 ˚C
Zulässige Impulsbelastbarkeit
I
F
=
f
(
t
P
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter,
T
A
= 25 ˚C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
Semiconductor Group
5
