首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

LLZ3V3B-TP

Zener Diode, 3.3V V(Z), 3.07%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, HERMETIC SEALED, GLASS, MINIMELF-2

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Micro Commercial Components (MCC)

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
MELF
包装说明
O-LELF-R2
针数
2
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
外壳连接
ISOLATED
配置
SINGLE
二极管元件材料
SILICON
二极管类型
ZENER DIODE
JESD-30 代码
O-LELF-R2
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
2
最高工作温度
175 °C
封装主体材料
GLASS
封装形状
ROUND
封装形式
LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
0.5 W
认证状态
Not Qualified
标称参考电压
3.3 V
表面贴装
YES
技术
ZENER
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
WRAP AROUND
端子位置
END
处于峰值回流温度下的最长时间
10
最大电压容差
3.07%
工作测试电流
20 mA
Base Number Matches
1
文档预览
MCC
Micro Commercial Components
TM
  omponents
20736 Marilla
Street Chatsworth

  !"#
$ %    !"#
LLZ2V4
THRU
LLZ56
500mW Silicon
Zener Diodes
MINIMELF
Cathode Mark
Features
Hermetically Sealed Glass Package
Zener Voltage 2.4V to 56V
For Surface Mount Applications
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates
Compliant. See ordering information)
Mechanical Data
Case: hermetically sealed glass
Polarity: Cathode indicated by polarity band
Junction ambient R
thJA
:
500 K/W
(Note:2)
Moisture Sensitivity Level 1
Maximum Ratings
(Note:3)
Symbol
Max. Steady State Power
Dissipation at
Junction Temperature
Storage Temperature Range
P
D
T
J
T
STG
Value
500
175
-65 to 175
Units
B
C
mW
DIM
A
B
C
INCHES
MIN
.130
.008
.055
A
DIMENSIONS
MM
MIN
3.30
.20
1.40
Electrical Characteristics @ 25
Unless Otherwise Specified
Symbol
Max. Forward Voltage
I
F
=200mA
@
V
F
Value
1.5
Unit
V
MAX
.146
.016
.059
MAX
3.70
.40
1.50
NOTE
SUGGESTED SOLDER
PAD LAYOUT
0.105
Note:1.Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 5.
2.On PC Board 50 mm x 50 mm x 1.6 mm
3.Some part number series have lower JEDEC registered ratings.
0.075”
0.030”
Revision: A
www.mccsemi.com
1
of
7
2011/01/01
LLZ2V4-LLZ56
Electrical Characteristics (T
L
= 30
O
C Unless Otherwise Noted,
Part-
number-
group
Part-
number
Marking
Code
Zener Voltage
Dynamic Resistance
Test Current
MCC
Micro Commercial Components
Reverse Leakage
Current
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R
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20
20
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R
V
V
Z
@ I
ZT
V
min
V
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5.73
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Z
Z
@ I
ZT
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100
100
100
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80
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60
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40
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25
25
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20
20
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13
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8
8
8
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8
8
8
Z
ZK
@ I
ZK
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2000
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1000
1000
1000
1000
1000
1000
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1000
1000
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900
900
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800
800
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500
500
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300
300
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150
150
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120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
120
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I
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LLZ2V4B
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LLZ2V7B
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LLZ3V0B
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LLZ3V3B
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LLZ3V6B
LLZ3V9A
LLZ3V9B
LLZ4V3A
LLZ4V3B
LLZ4V3C
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LLZ4V7A
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LLZ4V7C
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LLZ6V2C
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LLZ6V8B
LLZ6V8C
LLZ7V5
LLZ7V5A
LLZ7V5B
LLZ7V5C
LLZ8V2
LLZ8V2A
LLZ8V2B
LLZ8V2C
LLZ9V1
LLZ9V1A
LLZ9V1B
LLZ9V1C
LLZ10
LLZ10A
LLZ10B
LLZ10C
LLZ10D
Revision: A
www.mccsemi.com
2
of
7
2011/01/01
LLZ2V4-LLZ56
MCC
Micro Commercial Components
Zener Voltage
Dynamic Resistance
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Reverse Leakage
Current
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R
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0.5
0.5
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0.5
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R
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V
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ZK
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120
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200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
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250
250
250
250
250
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250
250
250
250
250
250
250
250
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ZT
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I
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TM
Part-
number-
group
Part-
number
Marking
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LLZ12
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LLZ12C
LLZ13
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LLZ13C
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LLZ15B
LLZ15C
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LLZ16B
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LLZ27C
LLZ27D
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LLZ30B
LLZ30C
LLZ30D
LLZ33
LLZ33A
LLZ33B
LLZ33C
LLZ33D
LLZ36
LLZ36A
LLZ36B
LLZ36C
LLZ36D
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www.mccsemi.com
3
of
7
2011/01/01
LLZ2V4-LLZ56
MCC
Micro Commercial Components
Zener Voltage
Dynamic Resistance
Test Current
Reverse Leakage
Current
I
R
µA
max
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5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
0.5
-
-
-
-
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
0.04
32.9
33.6
34.2
34.8
35.5
36.2
37
38
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50.4
@ V
R
V
V
Z
@ I
ZT
V
min
V
max
36.47
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40.11
40.8
45
49
54
60
Z
Z
@ I
ZT
max
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85
85
85
85
85
85
90
90
100
100
Z
ZK
@ I
ZK
max
250
250
250
250
250
250
250
-
-
-
-
I
ZT
mA
I
ZK
mA
TM
Part-
number-
group
Part-
number
Marking
Code
LLZ39
LLZ39A
LLZ39B
LLZ39C
LLZ39D
LLZ39E
LLZ39F
LLZ39G
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
---
---
---
---
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36.63
37.36
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44
48
53
LLZ43
LLZ47
LLZ51
LLZ56
LLZ43
LLZ47
LLZ51
LLZ56
Typical Characteristics
(T
amb
= 25
°C
unless otherwise specified)
P –Total Power Dissipation ( mW)
tot
600
500
400
300
200
V
Ztn
– Relative
VoltageChange
1.3
V
Ztn
=V
Zt
/V
Z
(25°C)
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
–60
TK
VZ
=10 x 10
–4
/K
8 x 10
–4
/K
6 x 10
–4
/K
4 x 10
–4
/K
2 x 10
–4
/K
0
–2 x 10
–4
/K
–4 x 10
–4
/K
100
0
0
40
80
120
160
200
0
60
120
180
240
T
amb
– Ambient T
emperature(°C )
T
j
– Junction Temperature (°C )
Fig. 1 Total Power Dissipation vs. Ambient Temperature
Fig. 3 Typical Change of Working Voltage vs. Junction
Temperature
TK
VZ
–Temperature Coefficient of V
Z
( 10
–4
/K)
1000
V
Z
–VoltageChange mV )
(
15
T
j
=25°C
10
100
5
I
Z
=5mA
10
I
Z
=5mA
0
1
0
5
10
15
20
25
V
Z
– Z-Voltage ( V )
–5
0
10
20
30
40
50
V
Z
– Z-Voltage ( V )
Fig. 2 Typical Change of Working Voltage under Operating
Conditions at T
amb
=25°C
Fig. 4 Temperature Coefficient of Vz vs. Z-Voltage
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2011/01/01
LLZ2V4-LLZ56
50
40
30
20
10
0
MCC
Micro Commercial Components
V
R
=2V
I
Z
– Z-Current ( mA)
TM
200
C
D
– Diode Capacitance ( pF )
150
T
j
=25°C
P
tot
=500mW
T
amb
=25°C
100
50
0
0
5
10
15
20
25
15
20
25
30
35
V
Z
– Z-Voltage ( V )
V
Z
– Z-Voltage ( V )
Fig. 5 Diode Capacitance vs. Z-Voltage
Fig. 8 Z-Current vs. Z-Voltage
100
I
F
– Forward Current ( mA)
10
T
j
=25°C
r
Z
– Differential Z-Resistance (
)
1000
I
Z
=1mA
100
5mA
1
0.1
0.01
0.001
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
F
– Forward Voltage ( V )
10
10mA
1
0
5
10
15
T
j
=25°C
20
25
V
Z
– Z-Voltage ( V )
Fig. 6 Forward Current vs. Forward Voltage
Fig. 9 Differential Z-Resistance vs. Z-Voltage
100
80
60
40
20
0
I
Z
– Z-Current ( mA)
P
tot
=500mW
T
amb
=25°C
0
4
8
12
16
20
V
Z
– Z-Voltage ( V )
Fig. 7 Z-Current vs. Z-Voltage
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