LM112D,LM112D pdf中文资料,LM112D引脚图,LM112D电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与LM112D相近的元器件有：LM212D、LD112、LM112F、LM312D、LD312。描述及对比如下：

型号	LM112D	LM212D	LD112	LM112F	LM312D	LD312
描述	Operational Amplifier, 1 Func, 3000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP14, HERMETIC SEALED, DIP-14	Operational Amplifier, 1 Func, 3000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP14, HERMETIC SEALED, DIP-14	Operational Amplifier, 1 Func, 3000uV Offset-Max, BIPolar, 0.062 X 0.072 INCH, DIE-8	Operational Amplifier, 1 Func, 3000uV Offset-Max, BIPolar, CDFP10, HERMETIC SEALED, CERPACK-10	Operational Amplifier, 1 Func, 10000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP14, HERMETIC SEALED, DIP-14	Operational Amplifier, 1 Func, 10000uV Offset-Max, BIPolar, 0.062 X 0.072 INCH, DIE-8
零件包装代码	DIP	DIP	DIE	DFP	DIP	DIE
包装说明	DIP, DIP14,.3	HERMETIC SEALED, DIP-14	DIE, DIE OR CHIP	DFP, FL10,.3	DIP, DIP14,.3	DIE, DIE OR CHIP
针数	14	14	8	10	14	8
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)	0.003 µA	0.003 µA	0.003 µA	0.003 µA	0.01 µA	0.01 µA
标称共模抑制比	85 dB	85 dB	85 dB	85 dB	80 dB	80 dB
频率补偿	YES	YES	YES	YES	YES	YES
最大输入失调电压	3000 µV	3000 µV	3000 µV	3000 µV	10000 µV	10000 µV
JESD-30 代码	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-XUUC-N8	R-CDFP-F10	R-CDIP-T14	R-XUUC-N8
低-失调	NO	NO	NO	NO	NO	NO
标称负供电电压 (Vsup)	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V	-15 V
功能数量	1	1	1	1	1	1
端子数量	14	14	8	10	14	8
最高工作温度	125 °C	85 °C	125 °C	125 °C	70 °C	70 °C
最低工作温度	-55 °C	-25 °C	-55 °C	-55 °C	-	-
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	UNSPECIFIED
封装代码	DIP	DIP	DIE	DFP	DIP	DIE
封装等效代码	DIP14,.3	DIP14,.3	DIE OR CHIP	FL10,.3	DIP14,.3	DIE OR CHIP
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	UNCASED CHIP	FLATPACK	IN-LINE	UNCASED CHIP
电源	+-5/+-20 V	+-5/+-20 V	+-5/+-20 V	+-5/+-20 V	+-5/+-15 V	+-5/+-15 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大压摆率	0.6 mA	0.6 mA	0.6 mA	0.6 mA	0.8 mA	0.8 mA
标称供电电压 (Vsup)	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V	15 V
表面贴装	NO	NO	YES	YES	NO	YES
技术	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR	BIPOLAR
温度等级	MILITARY	OTHER	MILITARY	MILITARY	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	NO LEAD	FLAT	THROUGH-HOLE	NO LEAD
端子位置	DUAL	DUAL	UPPER	DUAL	DUAL	UPPER
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合	不符合	-
厂商名称	AMD(超微)	-	AMD(超微)	AMD(超微)	AMD(超微)	AMD(超微)
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	0.002 µA	0.002 µA	-	0.002 µA	0.007 µA	-
JESD-609代码	e0	e0	-	e0	e0	-
长度	19.431 mm	19.431 mm	-	6.1595 mm	19.431 mm	-
座面最大高度	5.08 mm	5.08 mm	-	2.032 mm	5.08 mm	-
供电电压上限	20 V	20 V	-	20 V	20 V	-
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	-
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	-	1.27 mm	2.54 mm	-
最小电压增益	25000	25000	-	25000	15000	-
宽度	7.62 mm	7.62 mm	-	6.35 mm	7.62 mm	-

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无人驾驶汽车如何决定让谁去死

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SiC MOSFET栅-源电压测量：探头头部的安装位置

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联创股份:含氟新材料技术路线已定型，已达到项目立项要求

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STM32F429 >> 14. TIM_（一）_基本定时器

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