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LMC6042IMX/NOPB

增益带宽积(GBP):100kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.02 V/us 电源电压:4.5V ~ 15.5V, ±2.25V ~ 7.75V 双路微功耗,20mV/?s

器件类别:模拟混合信号IC    放大器电路   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

器件标准:

敬请期待
器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
零件包装代码
SOIC
包装说明
SOIC-8
针数
8
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
架构
VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)
2e-7 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)
0.000004 µA
最小共模抑制比
62 dB
标称共模抑制比
75 dB
频率补偿
YES
最大输入失调电流 (IIO)
0.000002 µA
最大输入失调电压
3000 µV
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e3
长度
4.9 mm
低-偏置
YES
低-失调
NO
微功率
YES
湿度敏感等级
1
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量
2
端子数量
8
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP8,.25
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
包装方法
TR
峰值回流温度(摄氏度)
260
功率
NO
电源
5/15 V
可编程功率
NO
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.75 mm
最小摆率
0.007 V/us
标称压摆率
0.02 V/us
最大压摆率
0.034 mA
供电电压上限
16 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽
100 kHz
最小电压增益
40000
宽带
NO
宽度
3.91 mm
Base Number Matches
1
参数对比
与LMC6042IMX/NOPB相近的元器件有:LMC6042AIN/NOPB、LMC6042IM/NOPB。描述及对比如下:
型号 LMC6042IMX/NOPB LMC6042AIN/NOPB LMC6042IM/NOPB
描述 增益带宽积(GBP):100kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.02 V/us 电源电压:4.5V ~ 15.5V, ±2.25V ~ 7.75V 双路微功耗,20mV/?s 增益带宽积(GBP):100kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.02 V/us 电源电压:4.5V ~ 15.5V, ±2.25V ~ 7.75V 双路微功耗,20mV/?s 增益带宽积(GBP):100kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.02 V/us 电源电压:4.5V ~ 15.5V, ±2.25V ~ 7.75V CMOS 双路微功耗运算放大器
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 SOIC DIP SOIC
包装说明 SOIC-8 DIP-8 SOIC-8
针数 8 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 2e-7 µA 2e-7 µA 2e-7 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.000004 µA 0.000004 µA 0.000004 µA
最小共模抑制比 62 dB 62 dB 62 dB
标称共模抑制比 75 dB 75 dB 75 dB
频率补偿 YES YES YES
最大输入失调电流 (IIO) 0.000002 µA 0.000002 µA 0.000002 µA
最大输入失调电压 3000 µV 3000 µV 3000 µV
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e3 e3
长度 4.9 mm 9.81 mm 4.9 mm
低-偏置 YES YES YES
低-失调 NO NO NO
微功率 YES YES YES
湿度敏感等级 1 1 1
功能数量 2 2 2
端子数量 8 8 8
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 SOP DIP SOP
封装等效代码 SOP8,.25 DIP8,.3 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE
包装方法 TR TUBE TUBE
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT APPLICABLE 260
功率 NO NO NO
电源 5/15 V 5/15 V 5/15 V
可编程功率 NO NO NO
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.75 mm 5.08 mm 1.75 mm
最小摆率 0.007 V/us 0.01 V/us 0.007 V/us
标称压摆率 0.02 V/us 0.02 V/us 0.02 V/us
最大压摆率 0.034 mA 0.034 mA 0.034 mA
供电电压上限 16 V 16 V 16 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES NO YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 100 kHz 100 kHz 100 kHz
最小电压增益 40000 60000 40000
宽带 NO NO NO
宽度 3.91 mm 6.35 mm 3.91 mm
Base Number Matches 1 1 1
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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