型号
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| 型号 | LMC6062AIM | LMC6062IM |
|---|---|---|
| 描述 | Precision CMOS Dual Micropower Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85 | Precision CMOS Dual Micropower Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85 |
| Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 零件包装代码 | SOIC | SOIC |
| 针数 | 8 | 8 |
| Reach Compliance Code | _compli | _compli |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 1 week | 1 week |
| Samacsys Descripti | OpAmpIC | OpAmpIC |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 1e-7 µA | 1e-7 µA |
| 25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.000004 µA | 0.000004 µA |
| 最小共模抑制比 | 75 dB | 75 dB |
| 标称共模抑制比 | 85 dB | 85 dB |
| 频率补偿 | YES | YES |
| 最大输入失调电流 (IIO) | 0.000002 µA | 0.000002 µA |
| 最大输入失调电压 | 350 µV | 350 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 长度 | 4.9 mm | 4.9 mm |
| 低-偏置 | YES | YES |
| 低-失调 | YES | NO |
| 微功率 | YES | YES |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 8 | 8 |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 包装方法 | TUBE | TUBE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 235 | 235 |
| 功率 | NO | NO |
| 电源 | 5/15 V | 5/15 V |
| 可编程功率 | NO | NO |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | 1.75 mm |
| 最小摆率 | 0.01 V/us | 0.007 V/us |
| 标称压摆率 | 0.035 V/us | 0.035 V/us |
| 最大压摆率 | 0.038 mA | 0.038 mA |
| 供电电压上限 | 16 V | 16 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 100 kHz | 100 kHz |
| 最小电压增益 | 50000 | 35000 |
| 宽带 | NO | NO |
| 宽度 | 3.91 mm | 3.91 mm |
