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LMC6062IN

Precision Amplifiers Precision CMOS Dual Micropower Operational Amplifier 8-PDIP -40 to 85

器件类别:模拟混合信号IC    放大器电路   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

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器件:LMC6062IN

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP-8
针数
8
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
1 week
Samacsys Descripti
OP AMP
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
架构
VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)
0.000004 µA
标称共模抑制比
85 dB
频率补偿
YES
最大输入失调电压
1300 µV
JESD-30 代码
R-PDIP-T8
JESD-609代码
e0
长度
9.817 mm
低-偏置
YES
低-失调
NO
微功率
YES
湿度敏感等级
1
功能数量
2
端子数量
8
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP8,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
包装方法
RAIL
峰值回流温度(摄氏度)
260
电源
5/15 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.08 mm
最小摆率
0.007 V/us
标称压摆率
0.035 V/us
最大压摆率
0.066 mA
供电电压上限
16 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽
100 kHz
最小电压增益
35000
宽度
7.62 mm
参数对比
与LMC6062IN相近的元器件有:LMC6062AIMX。描述及对比如下:
型号 LMC6062IN LMC6062AIMX
描述 Precision Amplifiers Precision CMOS Dual Micropower Operational Amplifier 8-PDIP -40 to 85 Precision Amplifiers Precision CMOS Dual Micropower Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码 DIP SOIC
包装说明 DIP-8 SOP, SOP8,.25
针数 8 8
Reach Compliance Code _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 0.000004 µA 0.000004 µA
标称共模抑制比 85 dB 85 dB
频率补偿 YES YES
最大输入失调电压 1300 µV 900 µV
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e0 e0
长度 9.817 mm 4.9 mm
低-偏置 YES YES
低-失调 NO YES
微功率 YES YES
湿度敏感等级 1 1
功能数量 2 2
端子数量 8 8
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP
封装等效代码 DIP8,.3 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE
包装方法 RAIL TAPE AND REEL
峰值回流温度(摄氏度) 260 235
电源 5/15 V 5/15 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 1.75 mm
最小摆率 0.007 V/us 0.01 V/us
标称压摆率 0.035 V/us 35000 V/us
最大压摆率 0.066 mA 0.055 mA
供电电压上限 16 V 16 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V
表面贴装 NO YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 100 kHz 100 kHz
最小电压增益 35000 50000
宽度 7.62 mm 3.9 mm
热门器件
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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