型号
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| 型号 | LMC6484AMWG-QV | LMC6484AMWGQV |
|---|---|---|
| 描述 | QUAD OP-AMP, 750uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, CDSO14, CERAMIC, SOIC-14 | QUAD OP-AMP, 3000uV OFFSET-MAX, 1MHz BAND WIDTH, CDSO14, CERAMIC, SOIC-14 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
| 厂商名称 | Texas Instruments(德州仪器) | Texas Instruments(德州仪器) |
| 包装说明 | SOP, | SOP, |
| Reach Compliance Code | compliant | unknown |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 标称共模抑制比 | 65 dB | 74 dB |
| 最大输入失调电压 | 750 µV | 3000 µV |
| JESD-30 代码 | R-GDSO-G14 | R-GDSO-G14 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 |
| 功能数量 | 4 | 4 |
| 端子数量 | 14 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C |
| 封装主体材料 | CERAMIC, GLASS-SEALED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | SOP | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | 260 |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 2.33 mm | 2.33 mm |
| 标称压摆率 | 0.9 V/us | 0.9 V/us |
| 供电电压上限 | 16 V | 16 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY | MILITARY |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn63Pb37) | TIN LEAD |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 标称均一增益带宽 | 1000 kHz | 1000 kHz |
| 宽度 | 6.35 mm | 6.35 mm |