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LMC662CN/NOPB

CMOS Dual Operational Amplifier 8-PDIP 0 to 70

器件类别:模拟混合信号IC    放大器电路   

厂商名称:Texas Instruments(德州仪器)

厂商官网:http://www.ti.com.cn/

器件标准:

敬请期待
器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Texas Instruments
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码
DIP
包装说明
DIP, DIP8,.3
针数
8
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
Factory Lead Time
1 week
Samacsys Description
Dual op amp,LMC662CN DIP8 Texas Instruments LMC662CN/NOPB, Dual Op Amp, 1.4MHz CMOS, Rail to Rail, 5 → 15 V, 8-Pin MDIP
放大器类型
OPERATIONAL AMPLIFIER
架构
VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)
0.000004 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)
0.000002 µA
最小共模抑制比
63 dB
标称共模抑制比
83 dB
频率补偿
YES
最大输入失调电流 (IIO)
0.000001 µA
最大输入失调电压
3000 µV
JESD-30 代码
R-PDIP-T8
JESD-609代码
e3
长度
9.817 mm
低-偏置
YES
低-失调
NO
微功率
YES
湿度敏感等级
1
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量
2
端子数量
8
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
DIP
封装等效代码
DIP8,.3
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
IN-LINE
包装方法
TUBE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
功率
NO
电源
5/15 V
可编程功率
NO
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
5.08 mm
最小摆率
0.7 V/us
标称压摆率
1.1 V/us
最大压摆率
1.3 mA
供电电压上限
16 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子节距
2.54 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽
1400 kHz
最小电压增益
40000
宽带
NO
宽度
7.62 mm
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器件捷径:
A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ
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