Super Multi ARGUS
®
LED
High-Current, 3 mm (T1) LED, Non Diffused
LSG K372, LSP K372
Besondere Merkmale
q
farbloses, klares Gehäuse
q
Kunststoffgehäuse mit spezieller Formgebung
q
antiparallel geschaltete Leuchtdiodenchips
q
besonders geeignet bei hohem Umfeldlicht durch erhöhten
Betriebsstrom (typ. 50 mA)
q
hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED möglich
q
bei Einsatz eines äußeren Reflektors zur Hintergrundbe-
leuchtung von Leuchtfeldern und LCD-Anzeigen geeignet
q
zur Direkteinkopplung in Lichtleiter geeignet
q
gleichmäßige Ausleuchtung einer Streuscheibe (Weiß-
druck) vor dem äußeren Reflektor
q
Lötspieße mit Aufsetzebene
q
gegurtet lieferbar
q
Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
colorless, clear package
plastic package with a special design
antiparallel chip
appropriate for high ambient light because of the higher operating current (typ. 50 mA)
high signal efficiency possible by color change of the LED
in connection with an additional, custom built reflector suitable for backlighting of display panels
for optical coupling into light pipes
uniform illumination of a diffuser screen in front of the custom built reflector
solder leads with stand-off
available taped on reel
load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96
VEX06712
LSG K372, LSP K372
Typ
Type
Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstrom
Luminous Flux
I
F
= 50 mA
Φ
V
(mlm)
≥
100 (160 typ.)
≥
40 (100 typ.)
Bestellnummer
Ordering Code
LSG K372-QO
LSP K372-PO
super-red / green colorless clear
super-red /
pure green
colorless clear
Q62703-Q2647
Q62703-Q2380
Streuung des Lichtstromes in einer Verpackungseinheit
Φ
V max
/
Φ
V min
≤
2.0.
1)
Streuung des Lichtstromes in einer LED
Φ
V max
/
Φ
V min
≤
3.0 (L*G K372),
≤
4.0 (L*P K372).
1)
Bei MULTILED
®
bestimmt die Helligkeit des jeweils dunkleren Chips in einem Gehäuse die Helligkeitsgruppe
der LED.
Luminous flux ratio in one packaging unit
Φ
V max
/
Φ
V min
≤
2.0.
1)
Luminous flux ratio in one LED
Φ
V max
/
Φ
V min
≤
3.0 (L*G K372),
≤
4.0 (L*P K372).
1)
In case of MULTILED
®
, the brightness of the darker chip in one package determines the brightness group of
the LED.
Semiconductor Group
2
LSG K372, LSP K372
Grenzwerte
1)
Maximum Ratings
1)
Bezeichnung
Parameter
Betriebstemperatur
Operating temperature range
Lagertemperatur
Storage temperature range
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Durchlaßstrom
Forward current
Stoßstrom
Surge current
t
≤
10
µs,
D
= 0.005
Verlustleistung
Power dissipation
T
A
≤
25
°C
Wärmewiderstand
Termal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
1)
2)
1)
2)
Symbol
Symbol
Werte
Values
– 55 ... + 100
– 55 ... + 100
+ 100
75
1
Einheit
Unit
˚C
˚C
˚C
mA
A
T
op
T
stg
T
j
I
F
I
FM
P
tot
240
mW
R
th JA 2)
250
K/W
Die angegebenen Grenzwerte gelten für den Chip, für den sie angegeben sind, unabhängig vom
Betriebszustand des anderen.
Montiert auf Platine mit min. Anschlußlänge (bis Aufsatzebene, Lötfläche
≥
16 mm
2
).
The stated maximum ratings refer to the specified chip regardless of the other one’s status.
Mounted on PC board with min. lead length (up to stand-off, pad size
≥
16 mm
2
).
Semiconductor Group
3
LSG K372, LSP K372
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
I
F
= 20 mA
Dominantwellenlänge
Dominant wavelength
I
F
= 20 mA
Symbol
Symbol
S
(typ.)
λ
peak
(typ.)
(typ.)
λ
dom
(typ.)
635
Wert
Value
G
565
P
557
nm
Einheit
Unit
628
570
560
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 %
Φ
rel max
(typ.)
∆λ
Spectral bandwidth at 50 %
Φ
rel max
(typ.)
I
F
= 20 mA
Durchlaßspannung
Forward voltage
I
F
= 50 mA
Kapazität
1)
Capacitance
1)
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 %
I
V
from 90 % to 10 %
I
F
= 100 mA,
t
p
= 10
µs,
R
L
= 50
Ω
1)
1)
45
25
22
nm
(typ.)
V
F
(max.)
V
F
(typ.)
C
0
2.0
3.8
55
2.6
3.8
55
2.6
3.8
80
V
V
pF
(typ.)
t
r
(typ.)
t
f
300
150
450
200
450
200
ns
ns
Die Gesamtkapazität ergibt sich aus der Summe der Einzelkapazitäten.
The total capacitance results from the sum of the single capacitances.
Semiconductor Group
4
LSG K372, LSP K372
Relative spektrale Emission
Φ
rel
=
f
(λ),
T
A
= 25 ˚C,
I
F
= 20 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik
Φ
rel
=
f
(ϕ)
Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
