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LTC1154CS8

High-Side Micropower MOSFET Driver

器件类别:模拟混合信号IC    驱动程序和接口   

厂商名称:Linear ( ADI )

厂商官网:http://www.analog.com/cn/index.html

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器件参数
参数名称
属性值
Brand Name
Linear Technology
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Linear ( ADI )
零件包装代码
SOIC
包装说明
SOP, SOP8,.25
针数
8
制造商包装代码
S8
Reach Compliance Code
_compli
ECCN代码
EAR99
高边驱动器
YES
输入特性
STANDARD
接口集成电路类型
BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e0
长度
4.9025 mm
湿度敏感等级
1
功能数量
1
端子数量
8
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
输出特性
TOTEM-POLE
输出极性
TRUE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
SOP8,.25
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
235
电源
4.5/18 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
1.752 mm
最大供电电压
18 V
最小供电电压
4.5 V
标称供电电压
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
1.27 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
20
断开时间
60 µs
接通时间
1000 µs
宽度
3.899 mm
参数对比
与LTC1154CS8相近的元器件有:LTC1154CN8、LTC1154C、LTC1154HS8#TRPBF、LTC1154CS8#TRPBF、LTC1154CN8#PBF、LTC1154CS8#PBF、P0402H2940DGTB。描述及对比如下:
型号 LTC1154CS8 LTC1154CN8 LTC1154C LTC1154HS8#TRPBF LTC1154CS8#TRPBF LTC1154CN8#PBF LTC1154CS8#PBF P0402H2940DGTB
描述 High-Side Micropower MOSFET Driver High-Side Micropower MOSFET Driver High-Side Micropower MOSFET Driver IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8-DIP IC MOSFET DRIVER HIGH-SIDE 8SOIC Fixed Resistor, Thin Film, 0.063W, 294ohm, 50V, 0.5% +/-Tol, 50ppm/Cel, Surface Mount, 0402, CHIP
Brand Name Linear Technology Linear Technology - Linear Technology Linear Technology Linear Technology Linear Technology -
是否Rohs认证 不符合 不符合 - 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Linear ( ADI ) Linear ( ADI ) - Linear ( ADI ) Linear ( ADI ) Linear ( ADI ) Linear ( ADI ) -
零件包装代码 SOIC DIP - SOIC SOIC DIP SOIC -
包装说明 SOP, SOP8,.25 DIP, DIP8,.3 - SOP, SOP8,.25 SOP, SOP8,.25 DIP, DIP8,.3 SOP, SOP8,.25 CHIP
针数 8 8 - 8 8 8 8 -
制造商包装代码 S8 N - S8 S8 N S8 -
Reach Compliance Code _compli _compli - compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
高边驱动器 YES YES - YES YES YES YES -
接口集成电路类型 BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER - BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER -
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 - R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 -
JESD-609代码 e0 e0 - e3 e3 e3 e3 e4
湿度敏感等级 1 1 - 1 1 1 1 -
功能数量 1 1 - 1 1 1 1 -
端子数量 8 8 - 8 8 8 8 2
最高工作温度 70 °C 70 °C - 150 °C 70 °C 70 °C 70 °C 155 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY -
封装代码 SOP DIP - SOP SOP DIP SOP -
封装等效代码 SOP8,.25 DIP8,.3 - SOP8,.25 SOP8,.25 DIP8,.3 SOP8,.25 -
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR -
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE - SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE IN-LINE SMALL OUTLINE SMT
峰值回流温度(摄氏度) 235 NOT SPECIFIED - 260 260 NOT SPECIFIED 260 -
电源 4.5/18 V 4.5/18 V - 4.5/18 V 4.5/18 V 4.5/18 V 4.5/18 V -
认证状态 Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
座面最大高度 1.752 mm 3.937 mm - 1.752 mm 1.752 mm 3.937 mm 1.752 mm -
最大供电电压 18 V 18 V - 18 V 18 V 18 V 18 V -
最小供电电压 4.5 V 4.5 V - 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V -
标称供电电压 5 V 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V -
表面贴装 YES NO - YES YES NO YES YES
技术 CMOS CMOS - CMOS CMOS CMOS CMOS THIN FILM
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL - AUTOMOTIVE COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) - Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Gold (Au) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE - GULL WING GULL WING THROUGH-HOLE GULL WING -
端子节距 1.27 mm 2.54 mm - 1.27 mm 1.27 mm 2.54 mm 1.27 mm -
端子位置 DUAL DUAL - DUAL DUAL DUAL DUAL -
处于峰值回流温度下的最长时间 20 NOT SPECIFIED - 30 30 NOT SPECIFIED 30 -
断开时间 60 µs 60 µs - 60 µs 60 µs 60 µs 60 µs -
接通时间 1000 µs 1000 µs - 1000 µs 1000 µs 1000 µs 1000 µs -
宽度 3.899 mm 7.62 mm - 3.899 mm 3.899 mm 7.62 mm 3.899 mm -
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