M312L3223EG0-CA2,M312L3223EG0-CA2 pdf中文资料,M312L3223EG0-CA2引脚图,M312L3223EG0-CA2电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与M312L3223EG0-CA2相近的元器件有：M312L2820EG0-CB0、AMA430N、M312L3223EG0-CB0、M312L6420EG0-CB0、M312L6420EG0-CA2、M312L6423EG0-CA2、M312L6423EG0-CB0。描述及对比如下：

型号	M312L3223EG0-CA2	M312L2820EG0-CB0	AMA430N	M312L3223EG0-CB0	M312L6420EG0-CB0	M312L6420EG0-CA2	M312L6423EG0-CA2	M312L6423EG0-CB0
描述	DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET	DDR DRAM Module, 32MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184	DDR DRAM Module, 64MX72, 0.75ns, CMOS, DIMM-184
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	SAMSUNG(三星)	-	-	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)	SAMSUNG(三星)
零件包装代码	DIMM	DIMM	-	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
包装说明	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	-	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184	DIMM, DIMM184
针数	184	184	-	184	184	184	184	184
Reach Compliance Code	unknown	unknow	-	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
访问模式	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	-	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间	0.75 ns	0.75 ns	-	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns	0.75 ns
其他特性	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	-	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)	133 MHz	133 MHz	-	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz	133 MHz
I/O 类型	COMMON	COMMON	-	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	-	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184	R-XDMA-N184
内存密度	2415919104 bit	9663676416 bi	-	2415919104 bit	4831838208 bit	4831838208 bit	4831838208 bit	4831838208 bit
内存集成电路类型	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	-	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE	DDR DRAM MODULE
内存宽度	72	72	-	72	72	72	72	72
湿度敏感等级	1	1	-	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	-	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	-	1	1	1	1	1
端子数量	184	184	-	184	184	184	184	184
字数	33554432 words	134217728 words	-	33554432 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words	67108864 words
字数代码	32000000	128000000	-	32000000	64000000	64000000	64000000	64000000
工作模式	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	-	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	32MX72	128MX72	-	32MX72	64MX72	64MX72	64MX72	64MX72
输出特性	3-STATE	3-STATE	-	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	-	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED	UNSPECIFIED
封装代码	DIMM	DIMM	-	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM	DIMM
封装等效代码	DIMM184	DIMM184	-	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184	DIMM184
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	-	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）	225	225	-	225	225	225	225	225
电源	2.5 V	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
刷新周期	8192	8192	-	8192	8192	8192	8192	8192
自我刷新	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
最大压摆率	2.25 mA	5.88 mA	-	2.25 mA	4.95 mA	4.95 mA	3.41 mA	3.41 mA
最大供电电压 (Vsup)	2.7 V	2.7 V	-	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)	2.3 V	2.3 V	-	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	2.5 V	-	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V	2.5 V
表面贴装	NO	NO	-	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	-	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	-	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm
端子位置	DUAL	DUAL	-	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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关于单片机Layout: 单片机上有多组供电端口，这些供电端口之间的PCB连线是否可以从芯片下面的空白区域走线？关于单片...; scake PCB设计

Qorvo收购碳化硅功率半导体制造商UnitedSiC

当地时间11 月 3 日，Qorvo宣布收购美国碳化硅（SiC）功率半导体制造商United Silicon Carbide（UnitedSiC）。交易金额尚未披露，不过这笔收购将使Qorvo的影响力延伸至电动汽车 (EV)、工业电源、电路保护、可再生能源和数据中心电源市场。 UnitedSiC将并入Qorvo旗下的基础设施和国防产品（IDP）部门。资料显示，United Silicon ...[详细]
PIC16F877A串口发送字符串问题

PIC16F877A串口发送，查询方式，就为了调出这个费了我一天时间，原来是串口芯片电压问题，现总结如下： 1、注意232串口芯片供电电压，有5V和3.3V的 2、注意TXD、RXD接线，单片机的TXD接232芯片的R2OUT，单片机的RXD接232芯片的T2IN 3、注意ESP8266的UTXD接MCU的RX，URXD接MCU的TX 4、注意ESP8266的UTXD接232的T2IN，URXD...[详细]
龙芯总设计师：暂没有能力开发GPU

龙芯总设计师、龙芯中科总裁胡伟武　　新浪科技讯 12月7日下午消息，龙芯总设计师、龙芯中科总裁胡伟武今天表示，美国芯片公司MIPS被收购对龙芯没有影响，“反而是一件好事。”他还表示，龙芯暂时没有能力开发GPU芯片。　　MIPS是美国一家芯片厂商，龙芯采用这家公司研发的MIPS架构进行芯片开发。今年11月，MIPS公司被英国芯片厂商Imagination收购。　　在第二届“龙芯杯”...[详细]
基于高通QCC3056加立锜RT6160A之多功能TWS耳机充电仓方案

近年来蓝牙TWS耳机市场发展迅速，产品层出不穷。用户对配套充电盒的要求也是日益严苛。不在仅仅要求其只是简单充电宝的角色。所以充电盒也是各色功能花样百出。日前诠鼎推出基于高通平台的智能充电盒方案，在满足基本需求外，提供了丰富的扩展功能，给用户带来更好体验。本方案使用高通QCC3056芯片为主控平台，搭配电源专用芯片立锜RT6160A搭建的低耗高效的充电平台。结合软件方面高通专用充电通信...[详细]
ARM白皮书聚焦下一代处理器架构

日前，ARM联合高通发布了技术白皮书，称基于 ARMv8-A 的高集成 SoC(系统级芯片)将引发新一代变革，目前 SoC主要基于ARMv7-A架构。(更多独家财经新闻，请加微信号cbn-yicai) 　　手机芯片中包括了计算、通信等不同处理器模块，但计算模块主要根据ARM处理器搭建，ARM处理器因此有“芯片中的芯片”之称。白皮书披露，超过 95% 的Android 设备芯片基于 ARM架...[详细]
MSP430F5438学习笔记1-定时器

比较模式：这是定时器的默认模式，当在比较模式下的时候，与捕获模式相关的硬件停止工作，如果这个时候开启定时器中断，然后设置定时器终值(将终值写入TACCRx)，开启定时器，当TAR的值增到TACCRx的时候，中断标志位CCIFGx置一，同时产生中断。若中断允许未开启则只将中断标志位CCIFGx置一。例子：比较模式就像51单片机一样，要能够软件设置定时间隔来产生中断处理一些事情，如键盘扫...[详细]
stm32内部时钟有哪些时钟源 stm32使用内部时钟配置教程

stm32内部时钟有哪些时钟源在STM32中，可以用内部时钟，也可以用外部时钟，在要求进度高的应用场合最好用外部晶体震荡器，内部时钟存在一定的精度误差。内部时钟有2个时钟源可以选分别是HSI、LSI、（内部高速，内部低速，），高速时钟主要用于系统内核和总线上的外设时钟。低速时钟主要用于独立看门狗IWDG、实时时钟RTC。 1、HSI是高速内部时钟，RC振荡器，频率为8MHz，上电后默认的...[详细]
5G带动晶振缺货涨价的背后，国产小尺寸晶振需求难解

随着5G商用化的推进，当前在基站、智能手机、服务器等领域，被动元器件之一的晶振需求量也迎来高速增长期，部分产能供不应求，部分产品涨价超25%。晶振被誉为电子产品的“心脏”，对5G高频高速信号传输承载着把关作用。自去年下半年以来，在国产替代和5G的带动下，不少半导体元件迎来需求强劲期。石英晶振也传出缺货涨价的声音，产品交期不断拉长，成为近来业界关注的热点。再加之，在海内外疫情影响下，晶振行业海...[详细]
华尔街日报:日本电子业缘何由盛转衰

【美国《华尔街日报》网站3月23日文章】题：是什么扼杀了日本电子业？(作者《东方经济学家的警觉》杂志主编理查德·卡茨) 现在几乎每一天都会传来日本电子行业的坏消息。除了佳能等几个例外，日本电子业巨头们在本财政年度将亏损170亿美元。标准普尔已经将索尼和夏普的信用评级降至BBB+，仅比垃圾级高两档。电子业高管们迅速开始把原因归咎于坚挺的日元。但这是站不住脚的借口，...[详细]
外媒：华为、苹果是中国智能手机市场两大角逐者

尽管华为、苹果都面临着各自的挑战，但在中国智能手机地位还是不容动摇，为最主要的两大角逐者。根据《金融时报》旗下研究机构“投资参考（FT Confidential Research）”所做的年度调查，华为荣登中国用户心中的最佳选择，有超过40%的受调者都表明下一台手机会选择使用华为手机，高于去年的34%。碍于美国实施的出口管制，华为最新旗舰机Mate 30无法安装谷歌软件，然而，在中国的销量不减...[详细]
基于脉动阵列的FIR滤波器设计

1 引言有限长冲激响应(FIR)滤波器在数字信号处理中是一种基本的处理单元。无限长单位冲激响应(IIR)数字滤波器的优点是可以利用模拟滤波器设计的结果，但其缺点是不具有线性相位性。图像处理以及数据传输都要求信道具有线性相位特性，FIR滤波器可以做成严格的线性相位，避免被处理信号产生相位失真，还可以具有任意的幅度特性。此外，FIR滤波器的单位冲激响应是有限长的，因而滤波器一定是稳定的。在...[详细]
从iPhone 11看UWB技术发展

受疫情影响，本年度的iPhone 12宣布在本月14日正式发布。其中比较受关注的热点是去年iPhone 11中首次推出的超宽带UWB技术，业界普遍猜测这次苹果会有更清晰的技术和产品路线，会在已有的基础上发扬光大，另一方面，安卓阵营对苹果推出的这项新技术并没有以往的好奇与跟随。那么，超宽带究竟是怎样的一种技术呢？按照苹果的设想，在万物互联互通互融的完美世界里，用户、硬件、软件和服务都和谐地整...[详细]
ADI新款SHARC处理器，创造最高性价比

“通过ADI公司带给市场的每一款新型SHARC处理器系列，我们见证了空前广泛的开发者社群创造了一次又一次设计创新的飞跃，他们都将SHARC视为业界卓越的浮点处理器平台，”ADI公司DSP部门副总裁Jerry McGuire 表示，“SHARC2148x及SHARC2147x系列处理器将SHARC级别的浮点处理带入新的一类设计中，使设计师打破了系统功能、经济性和便携性方面的极限。” 性价比...[详细]
MSP430常见问题之电源类

Q1:msp430（我用的4619）的VCC,DVCC,VSS,DVSS怎么接啊？模拟的和数字的一样吗？ A1：CC 就是正，SS 就是负，A是模拟电，D 是数字电，A的都接在一起，D 的都接在一起，地线要分开布，中间用000 贴片连接，也就是传说中的单点连接。A 和D 的正电源间如果信号源有固有的频率或频率范围建议中间用适当的电感连接，并在两侧加适当的退耦电容，以防止数字部分的信号干扰模拟信号...[详细]
飞兆半导体推出针对I2C应用的电压转换器

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为设计人员提供用于I 2C (Inter-Integrated Circuit) 总线的电压转换器 FXM2IC102，在宽泛的电平范围 (1.65V 到 5.5V) 内工作，以适应 I 2C 低电压应用的要求。 FXM2IC102 为设计人员应用 (I 2C 的) 漏...[详细]