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M368L1624FUM-CAA

DDR DRAM Module, 16MX64, 0.75ns, CMOS, DIMM-184

器件类别:存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
SAMSUNG(三星)
零件包装代码
DIMM
包装说明
DIMM,
针数
184
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.75 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码
R-XDMA-N184
内存密度
1073741824 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM MODULE
内存宽度
64
湿度敏感等级
2
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
184
字数
16777216 words
字数代码
16000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
16MX64
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
260
认证状态
Not Qualified
自我刷新
YES
最大供电电压 (Vsup)
2.7 V
最小供电电压 (Vsup)
2.3 V
标称供电电压 (Vsup)
2.5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
40
Base Number Matches
1
文档预览
256MB, 512MB Unbuffered DIMM Pb-Free
DDR SDRAM
DDR SDRAM Unbuffered Module
184pin Unbuffered Module based on 256Mb F-die
with 64/72-bit Non-ECC / ECC
66 TSOP(II) with Pb-Free
(RoHS compliant)
Revision 1.2
Oct. 2004
Revision 1.2 Oct. 2004
256MB, 512MB Unbuffered DIMM Pb-Free
Revision History
Revision 1.0 (February, 2004)
- First release
Revision 1.1 (May, 2004)
- Modified IDD current spec.
Revision 1.2 (October, 2004)
- Corrected typo.
DDR SDRAM
Revision 1.2 Oct. 2004
256MB, 512MB Unbuffered DIMM Pb-Free
184Pin Unbuffered DIMM based on 256Mb F-die (x8, x16)
Ordering Information
Part Number
M368L1624FUM-C(L)B3/AA/A2/B0
M368L3223FUN-C(L)B3/AA/A2/B0
M381L3223FUM-C(L)B3/AA/A2/B0
M368L6423FUN-C(L)B3/AA/A2/B0
M381L6423FUM-C(L)B3/AA/A2/B0
Density
128MB
256MB
256MB
512MB
512MB
Organization
16M x 64
32M x 64
32M x 72
64M x 64
64M x 72
DDR SDRAM
Component Composition
16Mx16 (K4H561638F) * 4EA
32Mx8 (K4H560838F) * 8EA
32Mx8 (K4H560838F) * 9EA
32Mx8 (K4H560838F) * 16EA
32Mx8 (K4H560838F) * 18EA
Height
1,250mil
1,250mil
1,250mil
1,250mil
1,250mil
Operating Frequencies
B3(DDR333@CL=2.5)
Speed @CL2
Speed @CL2.5
CL-tRCD-tRP
133MHz
166MHz
2.5-3-3
AA(DDR266@CL=2)
133MHz
133MHz
2-2-2
A2(DDR266@CL=2)
133MHz
133MHz
2-3-3
B0(DDR266@CL=2.5)
100MHz
133MHz
2.5-3-3
Feature
• Power supply : Vdd: 2.5V
±
0.2V, Vddq: 2.5V
±
0.2V
Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
• Bidirectional data strobe(DQS)
• Differential clock inputs(CK and CK)
• DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
• Programmable Read latency 2, 2.5 (clock)
• Programmable Burst length (2, 4, 8)
• Programmable Burst type (sequential & interleave)
• Edge aligned data output, center aligned data input
• Auto & Self refresh, 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)
• Serial presence detect with EEPROM
• PCB : Height 1,250 (mil), single (128MB, 256MB), double (512MB) sided
SSTL_2 Interface
Pb-Free
RoHS compliant
SAMSUNG ELECTRONICS CO., Ltd. reserves the right to change products and specifications without notice.
Revision 1.2 Oct. 2004
256MB, 512MB Unbuffered DIMM Pb-Free
Pin Configuration (Front side/back side)
Pin
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
Front
VREF
DQ0
VSS
DQ1
DQS0
DQ2
VDD
DQ3
NC
NC
VSS
DQ8
DQ9
DQS1
VDDQ
CK1
/CK1
VSS
DQ10
DQ11
CKE0
VDDQ
DQ16
DQ17
DQS2
VSS
A9
DQ18
A7
VDDQ
DQ19
Pin
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
Front
A5
DQ24
VSS
DQ25
DQS3
A4
VDD
DQ26
DQ27
A2
VSS
A1
CB0
CB1
VDD
DQS8
A0
CB2
VSS
CB3
BA1
Pin
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
Front
VDDQ
/WE
DQ41
/CAS
VSS
DQS5
DQ42
DQ43
VDD
*/CS2
DQ48
DQ49
VSS
/CK2
CK2
VDDQ
DQS6
DQ50
DQ51
VSS
VDDID
DQ56
DQ57
VDD
DQS7
DQ58
DQ59
VSS
NC
SDA
SCL
Pin
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
Back
VSS
DQ4
DQ5
VDDQ
DM0
DQ6
DQ7
VSS
NC
NC
NC
VDDQ
DQ12
DQ13
DM1
VDD
DQ14
DQ15
CKE1
VDDQ
*BA2
DQ20
A12
VSS
DQ21
A11
DM2
VDD
DQ22
A8
DQ23
Pin
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
Back
VSS
A6
DQ28
DQ29
VDDQ
DM3
A3
DQ30
VSS
DQ31
CB4
CB5
VDDQ
CK0
/CK0
VSS
DM8
A10
CB6
VDDQ
CB7
DDR SDRAM
Pin
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
Back
/RAS
DQ45
VDDQ
/CS0
/CS1
DM5
VSS
DQ46
DQ47
*/CS3
VDDQ
DQ52
DQ53
*A13
VDD
DM6
DQ54
DQ55
VDDQ
NC
DQ60
DQ61
VSS
DM7
DQ62
DQ63
VDDQ
SA0
SA1
SA2
VDDSPD
KEY
DQ32
VDDQ
DQ33
DQS4
DQ34
VSS
BA0
DQ35
DQ40
KEY
VSS
DQ36
DQ37
VDD
DM4
DQ38
DQ39
VSS
DQ44
Note :
1. * : These pins are not used in this module.
2. Pins 44, 45, 47, 49, 51, 134, 135, 140, 142, 144 are used on x72(M381 ~ ) module, and are not used on x64(M368 ~ ) module.
3. Pins 111, 158 are NC for 1row modules [ M368L1624FUM, M368(81)L3223FUN(M)] & used for 2row modules
[M368(81)L6423FUN(M) ] .
Pin Description
Pin Name
A0 ~ A12
BA0 ~ BA1
DQ0 ~ DQ63
DQS0 ~ DQS8
CK0,CK0 ~ CK2, CK2
CKE0, CKE1(for double banks)
CS0, CS1(for double banks)
RAS
CAS
WE
CB0 ~ CB7 (for x72 module)
Function
Address input (Multiplexed)
Bank Select Address
Data input/output
Data Strobe input/output
Clock input
Clock enable input
Chip select input
Row address strobe
Column address strobe
Write enable
Check bit(Data-in/data-out)
VDD
VDDQ
VSS
VREF
VDDSPD
SDA
SCL
SA0 ~ 2
NC
Pin Name
DM0 ~ 7, 8(for ECC)
Data - in mask
Power supply (2.5V)
Power Supply for DQS(2.5V)
Ground
Power supply for reference
Serial EEPROM Power/Supply ( 2.3V to 3.6V )
Serial data I/O
Serial clock
Address in EEPROM
No connection
Function
Revision 1.2 Oct. 2004
256MB, 512MB Unbuffered DIMM Pb-Free
DDR SDRAM
128MB, 16M x 64 Non ECC Module (M368L1624FUM)
(Populated as 1 bank of x16 DDR SDRAM Module)
Functional Block Diagram
CS0
DQS1
DM1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
LDQS
LDM
I/O 6
I/O 4
I/O 1
I/O 3
I/O 2
I/O 0
I/O 5
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 10
I/O 15
I/O 13
I/O 12
I/O 14
I/O 11
I/O 9
CS
DQS5
DM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
LDQS
LDM
I/O 6
I/O 4
I/O 1
I/O 3
I/O 2
I/O 0
I/O 5
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 10
I/O 15
I/O 13
I/O 12
I/O 14
I/O 11
I/O 9
CS
D0
D2
DQS0
DM0
DQS4
DM4
DQS3
DM3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS2
DM2
LDQS
LDM
I/O 6
I/O 4
I/O 1
I/O 3
I/O 2
I/O 0
I/O 5
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 10
I/O 15
I/O 13
I/O 12
I/O 14
I/O 11
I/O 9
CS
DQS7
DM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
D1
DQS6
DM6
LDQS
LDM
I/O 6
I/O 4
I/O 1
I/O 3
I/O 2
I/O 0
I/O 5
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 10
I/O 15
I/O 13
I/O 12
I/O 14
I/O 11
I/O 9
CS
D3
Cap/D0/*Cap
BA0 - BA1
A0 - A12
RAS
CAS
CKE0
WE
BA0-BA1: DDR SDRAMs D0 - D3
A0-A12: DDR SDRAMs D0 - D3
CK0/1/2
RAS: DDR SDRAMs D0 - D3
CAS: DDR SDRAMs D0 - D3
CKE: DDR SDRAMs D0 - D3
WE: DDR SDRAMs D0 - D3
Clock Wiring
Clock
DDR SDRAMs
Input
CK0/CK0
CK1/CK1
CK2/CK2
0 DDR SDRAM
2 DDR SDRAMs
2 DDR SDRAMs
CK0/1/2
Card
Edge
R=120
Cap/Cap/Cap
Cap/*Cap/D2
Cap/Cap/Cap
Cap/D1/D3
Cap/Cap/Cap
V
DDSPD
V
DD
/V
DDQ
SPD
D0 - D3
D0 - D3
Serial PD
SCL
WP
A0
SA0
A1
SA1
A2
SA2
SDA
VREF
V
SS
D0 - D3
D0 - D3
Notes:
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recomended but
may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must be
maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms + 5%.
4. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors: 7.5 Ohms
+ 5%
Revision 1.2 Oct. 2004
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00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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