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M378B5273DH0-CH9

DDR DRAM Module, 512MX64, 20ns, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

器件标准:  

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
厂商名称
SAMSUNG(三星)
零件包装代码
DIMM
包装说明
DIMM, DIMM240,40
针数
240
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间
20 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
667 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XDMA-N240
长度
133.35 mm
内存密度
34359738368 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM MODULE
内存宽度
64
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
240
字数
536870912 words
字数代码
512000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
组织
512MX64
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM240,40
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
1.5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
座面最大高度
30.15 mm
自我刷新
YES
最大待机电流
0.192 A
最大压摆率
1.24 mA
最大供电电压 (Vsup)
1.575 V
最小供电电压 (Vsup)
1.425 V
标称供电电压 (Vsup)
1.5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
OTHER
端子形式
NO LEAD
端子节距
1 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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