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M470L6524BU0-CB3

DDR DRAM Module, 64MX64, 0.7ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-200

器件类别:存储    存储   

厂商名称:SAMSUNG(三星)

厂商官网:http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
SAMSUNG(三星)
零件包装代码
SODIMM
包装说明
DIMM, DIMM200,24
针数
200
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
访问模式
DUAL BANK PAGE BURST
最长访问时间
0.7 ns
其他特性
AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)
166 MHz
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-XZMA-N200
内存密度
4294967296 bit
内存集成电路类型
DDR DRAM MODULE
内存宽度
64
湿度敏感等级
2
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
200
字数
67108864 words
字数代码
64000000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
64MX64
输出特性
3-STATE
封装主体材料
UNSPECIFIED
封装代码
DIMM
封装等效代码
DIMM200,24
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
2.5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
8192
自我刷新
YES
最大压摆率
1.82 mA
最大供电电压 (Vsup)
2.7 V
最小供电电压 (Vsup)
2.3 V
标称供电电压 (Vsup)
2.5 V
表面贴装
NO
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子形式
NO LEAD
端子节距
0.6 mm
端子位置
ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
热门器件
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器件捷径:
00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W
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