首页 > 器件类别 > 存储 > 存储

M58BW032BT55T6T

32 Mbit (1Mb x32, Boot Block, Burst) 3.3V Supply Flash Memory

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

下载文档
器件参数
参数名称
属性值
厂商名称
ST(意法半导体)
零件包装代码
QFP
包装说明
PLASTIC, QFP-80
针数
80
Reach Compliance Code
unknow
ECCN代码
3A991.B.1.A
最长访问时间
55 ns
其他特性
SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION POSSIBLE; TOP BOOT BLOCK
启动块
TOP
命令用户界面
YES
通用闪存接口
YES
数据轮询
NO
JESD-30 代码
R-PQFP-G80
长度
20 mm
内存密度
33554432 bi
内存集成电路类型
FLASH
内存宽度
32
功能数量
1
部门数/规模
4,8,62
端子数量
80
字数
1048576 words
字数代码
1000000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
85 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
1MX32
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
QFP
封装等效代码
QFP80,.7X.9,32
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLATPACK
页面大小
4 words
并行/串行
PARALLEL
电源
3.3 V
编程电压
3.3 V
认证状态
Not Qualified
座面最大高度
3.4 mm
部门规模
4K,2K,16K
最大待机电流
0.0001 A
最大供电电压 (Vsup)
3.6 V
最小供电电压 (Vsup)
3 V
标称供电电压 (Vsup)
3.3 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
INDUSTRIAL
端子形式
GULL WING
端子节距
0.8 mm
端子位置
QUAD
切换位
NO
类型
NOR TYPE
宽度
14 mm
文档预览
查看更多>
热门器件
热门资源推荐
器件捷径:
E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ
需要登录后才可以下载。
登录取消