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M5M5256BRV-12LL

Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-28

器件类别:存储    存储   

厂商名称:Mitsubishi(日本三菱)

厂商官网:http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/

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器件参数
参数名称
属性值
是否无铅
含铅
是否Rohs认证
不符合
零件包装代码
TSOP
包装说明
SOP, TSSOP28,.53,22
针数
28
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
最长访问时间
120 ns
其他特性
POWER-DOWN
I/O 类型
COMMON
JESD-30 代码
R-PDSO-G28
JESD-609代码
e0
内存密度
262144 bit
内存集成电路类型
STANDARD SRAM
内存宽度
8
功能数量
1
端口数量
1
端子数量
28
字数
32768 words
字数代码
32000
工作模式
ASYNCHRONOUS
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
32KX8
输出特性
3-STATE
可输出
YES
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
SOP
封装等效代码
TSSOP28,.53,22
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
并行/串行
PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
反向引出线
YES
最大待机电流
0.00001 A
最小待机电流
2 V
最大压摆率
0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
4.5 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.55 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
Base Number Matches
1
文档预览
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