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Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA72, 0.80 MM PITCH, CSP-72
厂商名称：Mitsubishi(日本三菱)
厂商官网：http://www.mitsubishielectric.com/semiconductors/
下载文档| 型号 | M6MGB166S2BWG-90 | M6MGT166S2BWG-90 |
|---|---|---|
| 描述 | Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA72, 0.80 MM PITCH, CSP-72 | Memory Circuit, 1MX16, CMOS, PBGA72, 0.80 MM PITCH, CSP-72 |
| 零件包装代码 | BGA | BGA |
| 包装说明 | BGA, | BGA, |
| 针数 | 72 | 72 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown |
| 其他特性 | COMBINATION OF 3.3V FLASH MEM & SRAM IN -CSP; ACCESS TIME FOR FLASH MEM IS 90NS & FOR SRAM 85 NS | COMBINATION OF 3.3V FLASH MEM & SRAM IN -CSP; ACCESS TIME FOR FLASH MEM IS 90NS & FOR SRAM 85 NS |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B72 | R-PBGA-B72 |
| 内存密度 | 16777216 bit | 16777216 bit |
| 内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT | MEMORY CIRCUIT |
| 内存宽度 | 16 | 16 |
| 功能数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 72 | 72 |
| 字数 | 1048576 words | 1048576 words |
| 字数代码 | 1000000 | 1000000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -20 °C | -20 °C |
| 组织 | 1MX16 | 1MX16 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | BGA | BGA |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY | GRID ARRAY |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | OTHER |
| 端子形式 | BALL | BALL |
| 端子位置 | BOTTOM | BOTTOM |