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M95010-RBN3/W

512 X 8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8
512 × 8 总线串行电可擦除只读存储器, PDSO8

器件类别：存储存储

厂商名称：ST(意法半导体)

厂商官网：http://www.st.com/

参数

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

ST(意法半导体)

零件包装代码

DIP

包装说明

PLASTIC, DIP-8

针数

8

Reach Compliance Code

compli

ECCN代码

EAR99

最大时钟频率 (fCLK)

2 MHz

JESD-30 代码

R-PDIP-T8

JESD-609代码

e0

长度

9.27 mm

内存密度

1024 bi

内存集成电路类型

EEPROM

内存宽度

8

功能数量

1

端子数量

8

字数

128 words

字数代码

128

工作模式

SYNCHRONOUS

最高工作温度

125 °C

最低工作温度

-40 °C

组织

128X8

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

DIP

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

IN-LINE

并行/串行

SERIAL

峰值回流温度（摄氏度）

225

认证状态

Not Qualified

座面最大高度

5.33 mm

串行总线类型

SPI

最大供电电压 (Vsup)

5.5 V

最小供电电压 (Vsup)

1.8 V

标称供电电压 (Vsup)

2.5 V

表面贴装

NO

技术

CMOS

温度等级

AUTOMOTIVE

端子面层

TIN LEAD

端子形式

THROUGH-HOLE

端子节距

2.54 mm

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

30

宽度

7.62 mm

最长写入周期时间 (tWC)

10 ms

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