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M95512-DRMB3G/K

64KX8 SPI BUS SERIAL EEPROM, PDSO8, 2 X 3 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, UFDFP-8

器件类别:存储    存储   

厂商名称:ST(意法半导体)

厂商官网:http://www.st.com/

器件标准:

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
符合
厂商名称
ST(意法半导体)
零件包装代码
DFP
包装说明
2 X 3 MM, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, UFDFP-8
针数
8
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
最大时钟频率 (fCLK)
5 MHz
JESD-30 代码
R-PDSO-N8
长度
3 mm
内存密度
524288 bit
内存集成电路类型
EEPROM
内存宽度
8
功能数量
1
端子数量
8
字数
65536 words
字数代码
64000
工作模式
SYNCHRONOUS
最高工作温度
125 °C
最低工作温度
-40 °C
组织
64KX8
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
HVSON
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行
SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
座面最大高度
0.6 mm
串行总线类型
SPI
最大供电电压 (Vsup)
5.5 V
最小供电电压 (Vsup)
1.8 V
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
AUTOMOTIVE
端子形式
NO LEAD
端子节距
0.5 mm
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
宽度
2 mm
最长写入周期时间 (tWC)
4 ms
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器件捷径:
L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ
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