MAL210658222E3,MAL210658222E3 pdf中文资料,MAL210658222E3引脚图,MAL210658222E3电路-Datasheet-电子工程世界

参数对比

与MAL210658222E3相近的元器件有：MAL210678104E3、MAL210646224E3、BLU0603-1290-BB15W、MAL210656153E3、MAL210658104E3、MAL210657683E3、MAL210618223E3、MAL210676104E3、MAL210619103E3。描述及对比如下：

型号	MAL210658222E3	MAL210678104E3	MAL210646224E3	BLU0603-1290-BB15W	MAL210656153E3	MAL210658104E3	MAL210657683E3	MAL210618223E3	MAL210676104E3	MAL210619103E3
描述	Aluminum Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 2200uF 63V 35x60mm 85 C 20000h	Aluminum Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 100000uF 63V 76x220mm 85 C 20000h	Aluminum Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 220000uF 25V 90x146mm 85 C 20000h	Fixed Resistor, Thin Film, 0.1W, 129ohm, 75V, 0.1% +/-Tol, 15ppm/Cel, 0603,	Aluminum Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 15000uF 25V 35x105mm 85 C 20000h	Aluminum Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 100000uF 63V 76x220mm 85 C 20000h	CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 40 V, 68000 uF, STUD MOUNT, ROHS COMPLIANT		CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 25 V, 100000 uF, STUD MOUNT, ROHS COMPLIANT	Aluminum Electrolytic Capacitors - Screw Terminal 10000uF 100V 65x105mm 85 C 20000h
是否无铅	不含铅	不含铅	不含铅	-	-	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅	不含铅
是否Rohs认证	符合	符合	符合	符合	-	符合	符合	符合	符合	符合
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	compliant	-	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
电容	2200 µF	100000 µF	220000 µF	-	-	100000 µF	68000 µF	22000 µF	100000 µF	10000 µF
电容器类型	ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR	ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR	ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR	-	-	ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR	ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR	ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR	ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR	ALUMINUM ELECTROLYTIC CAPACITOR
直径	35 mm	76 mm	90 mm	-	-	76 mm	76 mm	65 mm	76 mm	65 mm
介电材料	ALUMINUM (WET)	ALUMINUM (WET)	ALUMINUM (WET)	-	-	ALUMINUM (WET)	ALUMINUM (WET)	ALUMINUM (WET)	ALUMINUM (WET)	ALUMINUM (WET)
ESR	56 mΩ	5 mΩ	5 mΩ	-	-	5 mΩ	8 mΩ	7 mΩ	9 mΩ	11 mΩ
JESD-609代码	e3	e3	e3	e3	-	e3	e3	e3	e3	e3
漏电流	0.28 mA	12.6 mA	11 mA	-	-	12.6 mA	5.44 mA	2.78 mA	5 mA	2 mA
长度	60 mm	220 mm	146 mm	-	-	220 mm	105 mm	105 mm	105 mm	105 mm
安装特点	STUD MOUNT	STUD MOUNT	CHASSIS MOUNT	-	-	STUD MOUNT	STUD MOUNT	CHASSIS MOUNT	STUD MOUNT	CHASSIS MOUNT
负容差	10%	10%	10%	-	-	10%	10%	10%	10%	10%
端子数量	2	2	2	2	-	2	2	2	2	2
最高工作温度	85 °C	85 °C	85 °C	155 °C	-	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-55 °C	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装形状	CYLINDRICAL PACKAGE	CYLINDRICAL PACKAGE	CYLINDRICAL PACKAGE	-	-	CYLINDRICAL PACKAGE	CYLINDRICAL PACKAGE	CYLINDRICAL PACKAGE	CYLINDRICAL PACKAGE	CYLINDRICAL PACKAGE
封装形式	Screw Ends	Screw Ends	Screw Ends	SMT	-	Screw Ends	Chassis Mount	Screw Ends	Chassis Mount	Screw Ends
包装方法	CARDBOARD	CARDBOARD	CARDBOARD	Bulk	-	CARDBOARD	BULK	CARDBOARD	BULK	CARDBOARD
极性	POLARIZED	POLARIZED	POLARIZED	-	-	POLARIZED	POLARIZED	POLARIZED	POLARIZED	POLARIZED
正容差	30%	30%	30%	-	-	30%	30%	30%	30%	30%
额定（直流）电压（URdc）	63 V	63 V	25 V	-	-	63 V	40 V	63 V	25 V	100 V
纹波电流	5600 mA	36600 mA	50000 mA	-	-	36600 mA	27000 mA	23900 mA	29500 mA	16700 mA
表面贴装	NO	NO	NO	-	-	NO	NO	NO	NO	NO
端子面层	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn)	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	-	Matte Tin (Sn)	MATTE TIN	Matte Tin (Sn)	MATTE TIN	Matte Tin (Sn)
端子形状	BINDING POST	BINDING POST	BINDING POST	-	-	BINDING POST	SCREW	BINDING POST	SCREW	BINDING POST

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外媒:智能手机不会被替代与AI结合将更加强大

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不再是科幻！大脑芯片有望移植记忆

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NOA狂奔背后的车企智驾拼杀

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宁德时代与长安汽车成立合资公司

　　12月20日，宁德时代与长安汽车在重庆举行合资项目签约仪式，宁德时代战投企划部总经理曲涛、长安汽车副总裁王辉代表双方签署协议，宁德时代董事长曾毓群、长安汽车董事长朱华荣见证签约。　　此次双方成立合资公司，将以时代长安为契机，进一步实现优势互补、协同合作、价值共生。宁德时代将充分发挥在动力电池研发、生产、制造、后市场服务等全链条的创新能力和核心优势，助力长安汽车打造世界...[详细]
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基于NXP NxH3670&LPC55 的电竞游戏手柄方案

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爆料大神转发iPod Touch 7渲染图：5寸无刘海全面屏

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禁用华为，英国5G建设将选用NEC

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工业4.0控制：从“云计算”到“雾计算”智能物联网

【前言】雾计算，基于智能物联网，是云计算的进一步分散形态。【云计算太费电】现在正在流行的“云计算”，是把大量数据放到“云”里去计算或存储。如此就解决了目前电脑或手机存储量不够，或者是运算速度不够快的问题，当然也带来了其他很多好处。这个所谓的“云”的核心，就是装了大量服务器和存储器的“数据中心”。由于目前的半导体芯片和其他配套硬件还很耗电，全球数据中心的用电功率，相当于30个核电站的供电...[详细]
基于Proteus的LPC2106的SPI接口实现

　　引言　　现在，人们生活中的每个角落都有嵌入式设备的存在，比如DVD、移动电话、MP3及掌上电脑等等。这些嵌入式设备多采用32位RISC嵌入式处理器作为核心部件。其中基于ARM核的嵌入式处理器独占鳌头，在32位RISC处理器中占据超过75％的市场份额。因而越来越多的电子爱好者都加入了学习ARM的队伍中。通过和一般单片机系统开发过程的比较不难发现，嵌入式系统的设计包括硬件设计和软件设计两个方...[详细]
三菱PLC程序设计编写经验

弄通有关三菱plc程序设计理论是重要的。没有这方面的理论准备或指导，仅靠在实践中摸索，简单的问题还好办。复杂的就不好办了。不仅无从下手，而且花了很多时间与精力，也难编出效率较高、质量也较高的程序，常常是事倍功半。但是，三菱plc编程的具体实践，以及在这个实践中得来的知识或技能，即经验，也是重要的。没有经验，仅有理论，既无法深刻理解理论，又无法灵活应用理论。这正如学数学，如仅了解一些定理或记住一些...[详细]
单片机学习的四个阶段

单片机学习的四个阶段经常有单片机爱好者问我们，如何学习单片机？学习单片机的步骤是什么？我们初略总结了一下，单片机学习的过程基本上可分四个阶段：第一阶段　　是先浏览教科书里的硬件部分，大至了解单片机的硬件结构。如 ROM、RAM、地址、I／O口等，以及看一些厂家的MCU资料（Data Sheet），来加强MCU所提供各项资源的印象。第二阶段　　就是了解二进位数字、十...[详细]
不可不知的运算放大器的噪声

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