型号

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关键词

MASMLG30E3TR

Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 30V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-215AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

器件类别：分立半导体二极管

厂商名称：Microsemi

厂商官网：https://www.microsemi.com

器件标准： Rohs认证

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参数

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

符合

厂商名称

Microsemi

零件包装代码

DO-215AB

包装说明

R-PDSO-G2

针数

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

最大击穿电压

40.7 V

最小击穿电压

33.3 V

配置

SINGLE

二极管元件材料

SILICON

二极管类型

TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE

JEDEC-95代码

DO-215AB

JESD-30 代码

R-PDSO-G2

JESD-609代码

湿度敏感等级

最大非重复峰值反向功率耗散

3000 W

元件数量

端子数量

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

极性

UNIDIRECTIONAL

最大功率耗散

1.61 W

认证状态

Not Qualified

最大重复峰值反向电压

30 V

表面贴装

YES

技术

AVALANCHE

端子面层

MATTE TIN

端子形式

GULL WING

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

热门器件

简洁的过零调功器电路设计与分析单稳态控制电路设计与分析光控电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式比较常见的功率整流器和滤波电路一个简单的红外耳机电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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