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MB4M

0.5 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE

器件类别:分立半导体    二极管   

厂商名称:Vishay(威世)

厂商官网:http://www.vishay.com

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
Vishay(威世)
Reach Compliance Code
unknow
配置
BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型
BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)
1 V
JESD-609代码
e0
最大非重复峰值正向电流
35 A
元件数量
4
最高工作温度
150 °C
最大输出电流
0.5 A
最大重复峰值反向电压
400 V
表面贴装
NO
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
参数对比
与MB4M相近的元器件有:MB2M、MB6M。描述及对比如下:
型号 MB4M MB2M MB6M
描述 0.5 A, 400 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 0.5 A, 200 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE 0.5 A, 600 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Vishay(威世) Vishay(威世) Vishay(威世)
Reach Compliance Code unknow unknow unknow
配置 BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管类型 BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1 V 1 V 1 V
JESD-609代码 e0 e0 e0
最大非重复峰值正向电流 35 A 35 A 35 A
元件数量 4 4 4
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 0.5 A 0.5 A 0.5 A
最大重复峰值反向电压 400 V 200 V 600 V
表面贴装 NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
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