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MB81C1001A-10LPFTN

Nibble Mode DRAM, 1MX1, 100ns, CMOS, PDSO20

器件类别:存储    存储   

厂商名称:FUJITSU(富士通)

厂商官网:http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html

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器件参数
参数名称
属性值
是否Rohs认证
不符合
厂商名称
FUJITSU(富士通)
零件包装代码
SOIC
包装说明
TSSOP, TSSOP20/24,.63,20
针数
20
Reach Compliance Code
unknown
最长访问时间
100 ns
I/O 类型
SEPARATE
JESD-30 代码
R-PDSO-G20
JESD-609代码
e0
内存密度
1048576 bit
内存集成电路类型
NIBBLE MODE DRAM
内存宽度
1
端子数量
20
字数
1048576 words
字数代码
1000000
最高工作温度
70 °C
最低工作温度
组织
1MX1
输出特性
3-STATE
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装代码
TSSOP
封装等效代码
TSSOP20/24,.63,20
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源
5 V
认证状态
Not Qualified
刷新周期
512
最大待机电流
0.00025 A
最大压摆率
0.054 mA
标称供电电压 (Vsup)
5 V
表面贴装
YES
技术
CMOS
温度等级
COMMERCIAL
端子面层
Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式
GULL WING
端子节距
0.5 mm
端子位置
DUAL
热门器件
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器件捷径:
S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY
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