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EPROM, 8KX8, 300ns, MOS, CDIP28
厂商名称：FUJITSU(富士通)
厂商官网：http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html
下载文档| 型号 | MBM2764-30Z | MBM2764-30-X | MBM2764-30-XZ |
|---|---|---|---|
| 描述 | EPROM, 8KX8, 300ns, MOS, CDIP28 | 8KX8 UVPROM, 300ns, CQCC32, METAL SEALED, CERAMIC, LCC-32 | 8KX8 UVPROM, 300ns, CDIP28, CERDIP-28 |
| 厂商名称 | FUJITSU(富士通) | FUJITSU(富士通) | FUJITSU(富士通) |
| 零件包装代码 | DIP | QFJ | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP28,.6 | WQCCN, | WDIP, |
| 针数 | 28 | 32 | 28 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| 最长访问时间 | 300 ns | 300 ns | 300 ns |
| JESD-30 代码 | R-XDIP-T28 | R-CQCC-N32 | R-GDIP-T28 |
| 内存密度 | 65536 bit | 65536 bit | 65536 bit |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 端子数量 | 28 | 32 | 28 |
| 字数 | 8192 words | 8192 words | 8192 words |
| 字数代码 | 8000 | 8000 | 8000 |
| 最高工作温度 | 70 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | - | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 8KX8 | 8KX8 | 8KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | CERAMIC | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | CERAMIC, GLASS-SEALED |
| 封装代码 | DIP | WQCCN | WDIP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | CHIP CARRIER, WINDOW | IN-LINE, WINDOW |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
| 表面贴装 | NO | YES | NO |
| 技术 | MOS | NMOS | NMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | NO LEAD | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL | QUAD | DUAL |
| ECCN代码 | - | EAR99 | EAR99 |
| 长度 | - | 13.97 mm | 37.275 mm |
| 内存集成电路类型 | - | UVPROM | UVPROM |
| 功能数量 | - | 1 | 1 |
| 工作模式 | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 并行/串行 | - | PARALLEL | PARALLEL |
| 座面最大高度 | - | 3.3 mm | 5.84 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | - | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | - | 4.5 V | 4.5 V |
| 宽度 | - | 11.43 mm | 15.24 mm |
