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MBM29LV800TE90TN

8M (1M x 8/512 K x 16) BIT

器件类别：存储存储

厂商名称：FUJITSU(富士通)

厂商官网：http://edevice.fujitsu.com/fmd/en/index.html

参数

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

不符合

厂商名称

FUJITSU(富士通)

包装说明

TSSOP, TSSOP48,.8,20

Reach Compliance Code

unknow

最长访问时间

90 ns

备用内存宽度

8

启动块

TOP

命令用户界面

YES

数据轮询

YES

耐久性

100000 Write/Erase Cycles

JESD-30 代码

R-PDSO-G48

JESD-609代码

e0

内存密度

8388608 bi

内存集成电路类型

FLASH

内存宽度

16

部门数/规模

1,2,1,15

端子数量

48

字数

524288 words

字数代码

512000

最高工作温度

85 °C

最低工作温度

-40 °C

组织

512KX16

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装代码

TSSOP

封装等效代码

TSSOP48,.8,20

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH

并行/串行

PARALLEL

电源

3/3.3 V

认证状态

Not Qualified

就绪/忙碌

YES

部门规模

16K,8K,32K,64K

最大待机电流

0.000005 A

最大压摆率

0.035 mA

表面贴装

YES

技术

CMOS

温度等级

INDUSTRIAL

端子面层

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子形式

GULL WING

端子节距

0.5 mm

端子位置

DUAL

切换位

YES

类型

NOR TYPE

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器件捷径:

00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W

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