型号

型号
关键词

首页 > 器件类别 > 分立半导体 > 二极管

MBR10200CS2TR-G1

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 5A, 200V V(RRM), Silicon, TO-263AB, TO-263, 3/2 PIN

器件类别：分立半导体二极管

厂商名称：Diodes Incorporated

器件标准： Rohs认证

下载文档

参数

器件参数

参数名称

属性值

是否Rohs认证

符合

Objectid

8203402893

包装说明

TO-263, 3/2 PIN

Reach Compliance Code

not_compliant

ECCN代码

EAR99

其他特性

LOW NOISE

应用

HIGH VOLTAGE POWER

配置

COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS

二极管元件材料

SILICON

二极管类型

RECTIFIER DIODE

最大正向电压 (VF)

0.95 V

JEDEC-95代码

TO-263AB

JESD-30 代码

R-PSSO-G2

JESD-609代码

最大非重复峰值正向电流

100 A

元件数量

相数

端子数量

最高工作温度

150 °C

最大输出电流

5 A

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

最大重复峰值反向电压

200 V

最大反向电流

150 µA

表面贴装

YES

技术

SCHOTTKY

端子面层

MATTE TIN

端子形式

GULL WING

端子位置

SINGLE

热门器件

单稳态控制电路设计与分析永不缺相启动运行的电动机控制电路 IGBT模块通过控制门极阻断过电流 CCFL的工作原理及电子驱动电路解析开关电源的基本组成及工作原理 MT3608构成3.7V转12V的升压电路图运算放大器IC741的基本工作原理及在电路中的实现方式比较常见的功率整流器和滤波电路基于CA3193的热电偶放大器电路基于TDA1554的立体声放大器电路

器件捷径:

E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

需要登录后才可以下载。

登录取消