MC74HC125A,
MC74HC126A
Quad 3-State Noninverting
Buffers
High−Performance Silicon−Gate CMOS
The MC74HC125A and MC74HC126A are identical in pinout to
the LS125 and LS126. The device inputs are compatible with standard
CMOS outputs; with pullup resistors, they are compatible with
LSTTL outputs.
The HC125A and HC126A noninverting buffers are designed to be
used with 3−state memory address drivers, clock drivers, and other
bus−oriented systems. The devices have four separate output enables
that are active−low (HC125A) or active−high (HC126A).
Features
http://onsemi.com
MARKING
DIAGRAMS
14
14
1
PDIP−14
N SUFFIX
CASE 646
1
14
14
1
SOIC−14
D SUFFIX
CASE 751A
1
14
14
1
TSSOP−14
DT SUFFIX
CASE 948G
1
HC
12xA
ALYWG
G
HC12xAG
AWLYWW
MC74HC12xAN
AWLYYWWG
•
•
•
•
•
•
•
•
Output Drive Capability: 15 LSTTL Loads
Outputs Directly Interface to CMOS, NMOS, and TTL
Operating Voltage Range: 2.0 to 6.0 V
Low Input Current: 1.0
mA
High Noise Immunity Characteristic of CMOS Devices
In Compliance with the JEDEC Standard No. 7 A Requirements
Chip Complexity: 72 FETs or 18 Equivalent Gates
NLV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q100
Qualified and PPAP Capable
•
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS
Compliant
x
A
L, WL
Y, YY
W, WW
G or
G
= 5, 6
= Assembly Location
= Wafer Lot
= Year
= Work Week
= Pb−Free Package
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 4 of this data sheet.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
May, 2013
−
Rev. 14
1
Publication Order Number:
MC74HC125A/D
MC74HC125A, MC74HC126A
PIN ASSIGNMENT
OE1
A1
Y1
OE2
A2
Y2
GND
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
V
CC
OE4
A4
Y4
OE3
A3
Y3
A2
OE2
A3
OE1
1
5
4
9
10
12
13
11
Y4
8
Y3
6
Y2
OE1
A2
OE2
A3
OE3
A4
OE4
PIN 14 = V
CC
PIN 7 = GND
1
5
4
9
10
12
13
11
Y4
8
Y3
6
Y2
LOGIC DIAGRAM
HC125A
Active−Low Output Enables
A1
2
3
Y1
HC126A
Active−High Output Enables
A1
2
3
Y1
FUNCTION TABLE
HC125A
Inputs
A
H
L
X
OE
L
L
H
Output
Y
H
L
Z
A
H
L
X
HC126A
Inputs
OE
H
H
L
Output
Y
H
L
Z
OE3
A4
OE4
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
Î Î Î Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CC
V
in
I
in
V
out
I
out
P
D
Parameter
Value
Unit
V
V
V
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
DC Input Voltage (Referenced to GND)
DC Input Current, per Pin
DC Output Voltage (Referenced to GND)
DC Output Current, per Pin
– 0.5 to + 7.0
– 0.5 to V
CC
+ 0.5
– 0.5 to V
CC
+ 0.5
±
20
±
35
±
75
750
500
450
mA
mA
mA
I
CC
DC Supply Current, V
CC
and GND Pins
Power Dissipation in Still Air
Plastic DIP†
SOIC Package†
TSSOP Package†
mW
T
stg
T
L
Storage Temperature
– 65 to + 150
260
_C
_C
Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds
(Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package)
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress
ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied.
Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device
reliability.
†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/_C from 65_ to 125_C
SOIC Package: – 7 mW/_C from 65_ to 125_C
TSSOP Package: – 6.1 mW/_C from 65_ to 125_C
This device contains protection
circuitry to guard against damage
due to high static voltages or electric
fields. However, precautions must
be taken to avoid applications of any
voltage higher than maximum rated
voltages to this high−impedance cir-
cuit. For proper operation, V
in
and
V
out
should be constrained to the
range GND
v
(V
in
or V
out
)
v
V
CC
.
Unused inputs must always be
tied to an appropriate logic voltage
level (e.g., either GND or V
CC
).
Unused outputs must be left open.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎ Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
Symbol
V
CC
V
in
, V
out
T
A
Parameter
Min
2.0
0
Max
6.0
V
CC
Unit
V
V
DC Supply Voltage (Referenced to GND)
DC Input Voltage, Output Voltage
(Referenced to GND)
Input Rise and Fall Time
(Figure 1)
Operating Temperature, All Package Types
– 55
0
0
0
+ 125
1000
500
400
_C
ns
t
r
, t
f
V
CC
= 2.0 V
V
CC
= 4.5 V
V
CC
= 6.0 V
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS
http://onsemi.com
2
ÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î Î Î Î
Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎ Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î Î
Î
Î
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(C
L
= 50 pF, Input t
r
= t
f
= 6.0 ns)
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(Voltages Referenced to GND)
Symbol
Symbol
t
PLH
,
t
PHL
t
TLH
,
t
THL
t
PZL
,
t
PZH
t
PLZ
,
t
PHZ
V
OH
C
out
V
OL
V
IH
I
CC
I
OZ
C
in
V
IL
I
in
Maximum 3−State Output Capacitance (Output in High−Impedance State)
Maximum Input Capacitance
Maximum Output Transition Time, Any Output
(Figures 1 and 3)
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Y
(Figures 2 and 4)
Maximum Propagation Delay, Output Enable to Y
(Figures 2 and 4)
Maximum Propagation Delay, Input A to Output Y
(Figures 1 and 3)
Maximum Quiescent Supply Current
(per Package)
Maximum Three−State Leakage
Current
Maximum Input Leakage Current
Maximum Low−Level Output
Voltage
Minimum High−Level Output
Voltage
Maximum Low−Level Input Voltage
Minimum High−Level Input Voltage
Parameter
Parameter
C
PD
Power Dissipation Capacitance (Per Buffer)*
* Used to determine the no−load dynamic power consumption: P
D
= C
PD
V
CC 2
f + I
CC
V
CC
.
MC74HC125A, MC74HC126A
Output in High−Impedance State
V
in
= V
IL
or V
IH
V
out
= V
CC
or GND
V
out
= V
CC
– 0.1 V
|I
out
|
v
20
mA
V
out
= 0.1 V
|I
out
|
v
20
mA
V
in
= V
CC
or GND
I
out
= 0
mA
V
in
= V
CC
or GND
V
in
= V
IL
V
in
= V
IL
|I
out
|
v
20
mA
V
in
= V
IH
V
in
= V
IH
|I
out
|
v
20
mA
http://onsemi.com
Test Conditions
|I
out
|
v
3.6 mA
|I
out
|
v
6.0 mA
|I
out
|
v
7.8 mA
|I
out
|
v
3.6 mA
|I
out
|
v
6.0 mA
|I
out
|
v
7.8 mA
V
CC
V
V
CC
V
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
6.0
6.0
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
3.0
4.5
6.0
2.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
2.0
3.0
4.5
6.0
−
−
– 55 to
25_C
– 55 to
25_C
±
0.5
±
0.1
Typical @ 25°C, V
CC
= 5.0 V
0.5
0.9
1.35
1.8
1.5
2.1
3.15
4.2
0.26
0.26
0.26
2.48
3.98
5.48
120
45
24
20
4.0
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
15
10
60
22
12
10
90
36
18
15
90
36
18
15
Guaranteed Limit
Guaranteed Limit
v
85_C
v
85_C
±
5.0
±
1.0
0.5
0.9
1.35
1.8
1.5
2.1
3.15
4.2
0.33
0.33
0.33
2.34
3.84
5.34
150
60
30
26
115
45
23
20
115
45
23
20
0.1
0.1
0.1
1.9
4.4
5.9
15
10
75
28
15
13
40
30
v
125_C
v
125_C
±
1.0
0.5
0.9
1.35
1.8
1.5
2.1
3.15
4.2
±
10
135
60
27
23
180
80
36
31
135
60
27
23
160
0.4
0.4
0.4
0.1
0.1
0.1
2.2
3.7
5.2
1.9
4.4
5.9
15
10
90
34
18
15
Unit
Unit
mA
mA
mA
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
V
V
V
3
MC74HC125A, MC74HC126A
ORDERING INFORMATION
Device
MC74HC125ANG
MC74HC125ADG
MC74HC125ADR2G
MC74HC125ADTG
MC74HC125ADTR2G
MC74HC126ANG
MC74HC126ADG
MC74HC126ADR2G
MC74HC126ADTR2G
NLV74HC125ADG*
NLV74HC125ADR2G*
NLV74HC125ADTG*
NLV74HC125ADTR2G*
NLV74HC126ADR2G*
NLV74HC126ADTR2G*
Package
PDIP−14
(Pb−Free)
SOIC−14
(Pb−Free)
SOIC−14
(Pb−Free)
TSSOP−14
(Pb−Free)
TSSOP−14
(Pb−Free)
PDIP−14
(Pb−Free)
SOIC−14
(Pb−Free)
SOIC−14
(Pb−Free)
TSSOP−14
(Pb−Free)
SOIC−14
(Pb−Free)
SOIC−14
(Pb−Free)
TSSOP−14
(Pb−Free)
TSSOP−14
(Pb−Free)
SOIC−14
(Pb−Free)
TSSOP−14
(Pb−Free)
Shipping
†
25 Units / Rail
55 Units / Rail
2500 / Tape & Reel
96 Units / Rail
2500 / Tape & Reel
25 Units / Rail
55 Units / Rail
2500 / Tape & Reel
2500 / Tape & Reel
55 Units / Rail
2500 / Tape & Reel
55 Units / Rail
2500 / Tape & Reel
2500 / Tape & Reel
2500 / Tape & Reel
†For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging
Specifications Brochure, BRD8011/D.
*NLV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q100 Qualified and PPAP
Capable
http://onsemi.com
4
MC74HC125A, MC74HC126A
SWITCHING WAVEFORMS
V
CC
50%
GND
V
CC
GND
t
PHL
90%
50%
10%
t
TLH
t
THL
OE (HC126A)
50%
GND
t
PZL
OUTPUT Y
50%
t
PZH
OUTPUT Y
50%
t
PHZ
90%
t
PLZ
10%
HIGH
IMPEDANCE
V
OL
V
OH
HIGH
IMPEDANCE
V
CC
OE (HC125A)
t
r
INPUT A
t
PLH
OUTPUT Y
90%
50%
10%
t
f
Figure 1.
Figure 2.
TEST POINT
OUTPUT
DEVICE
UNDER
TEST
TEST POINT
OUTPUT
1 kW
CONNECT TO V
CC
WHEN
TESTING t
PLZ
AND t
PZL.
CONNECT TO GND WHEN
TESTING t
PHZ
and t
PZH.
C
L
*
DEVICE
UNDER
TEST
C
L
*
*Includes all probe and jig capacitance
*Includes all probe and jig capacitance
Figure 3. Test Circuit
Figure 4. Test Circuit
V
CC
OE
A
Y
HC125A
(1/4 OF THE DEVICE)
V
CC
OE
A
Y
HC126A
(1/4 OF THE DEVICE)
http://onsemi.com
5
嵌入式系统
